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長(cháng)江存儲將發(fā)布新一代Xtacking技術(shù) 實(shí)現NAND閃存超高傳輸速率

   

 

據長(cháng)江存儲官方消息,Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率 電子設計模塊

 國際電子商情報道,據長(cháng)江存儲官方消息,8月初,長(cháng)江存儲CEO楊士寧博士將發(fā)表《創(chuàng )新架構,釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。楊士寧博士將會(huì )介紹此項技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當的水準,同時(shí)使存儲密度達到行業(yè)領(lǐng)先水平,實(shí)現閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。 

 
Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率,從而將NAND閃存應用產(chǎn)品,如UFS、消費級及企業(yè)級SSD的性能提升至全新的高度。在客戶(hù)、行業(yè)伙伴以及標準機構的合力幫助下,XtackingTM 將為高性能的智能手機、個(gè)人計算、數據中心和企業(yè)應用展開(kāi)新篇章。
 
XtackingTM技術(shù)實(shí)現了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開(kāi)發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間,并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。
 
據悉,目前長(cháng)江存儲即將量產(chǎn)32層3D NAND Flash,按照規劃,明年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash。
產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
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HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
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