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TI:我家的數字電源芯片直指80PLUS鈦金牌

 關(guān)鍵字:TI  數字電源芯片  80PLUS鈦金牌  科學(xué)實(shí)驗模塊

電源管理一直是系統架構師和電源設計者的重點(diǎn)關(guān)注領(lǐng)域之一。從技術(shù)角度來(lái)看,數字電源在可控因素較多、實(shí)時(shí)反應速度更快、需要多個(gè)模擬系統電源管理的、復雜的高性能系統應用中,相比模擬電源具有優(yōu)勢,并且能夠消除由離散元件引起的不穩定和電磁干擾等優(yōu)點(diǎn)。從市場(chǎng)角度來(lái)看,數字電源更具靈活性,減少分立元件的數量、降低整體占位面積、提高功率密度和監控能力,從而降低總體材料生產(chǎn)成本,幫助加快許多產(chǎn)品的上市速度。

 

 

《國際電子商情》德州儀器工業(yè)類(lèi)隔離電源市場(chǎng)經(jīng)理吳萬(wàn)邦
德州儀器工業(yè)類(lèi)隔離電源市場(chǎng)經(jīng)理吳萬(wàn)邦

 

因此,數字電源在高精度電源中的應用越來(lái)越廣泛,成為現代電源技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要方向。IHS公司旗下的IMS Research 報告曾預計,2017年全球數字電源市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入將增至124億美元,數字電源IC市場(chǎng)也會(huì )急劇增長(cháng)到26億美元。

 

服務(wù)器現在是數字電源的最大單一市場(chǎng),Facebook、Google等服務(wù)器、數據中心非常耗電,對電源效率、集成度和整體性能的要求越來(lái)越高。LED照明解決方案的使用也在不斷的增長(cháng),尤其是需要滿(mǎn)足切相調光解決方案適合采用數字電源控制來(lái)實(shí)現對不同相位調光器的兼容性。同時(shí),筆記本與平板電腦、家用電器、智能手機、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域對數字電源的需求也成爆炸式增長(cháng)。從中可以看出,未來(lái)幾年內數字電源的營(yíng)收增長(cháng)勢頭將遠遠超過(guò)模擬電源。

 

 

《國際電子商情》不同的應用適用不同的拓撲結構設計
不同的應用適用不同的拓撲結構設計

 

近日,美國德州儀器公司(TI)推出了一套數字電源IC產(chǎn)品組合,據稱(chēng)是業(yè)內首款具有智能數字控制和獨一無(wú)二的體二極管感測功能的數字電源管理芯片組。該公司工業(yè)類(lèi)隔離電源(AC/DC, DC/DC, 新能源)市場(chǎng)經(jīng)理吳萬(wàn)邦介紹說(shuō),此次推出的數字電源管理芯片組包含UCD3138A數字控制器和 UCD7138低側柵極驅動(dòng)器,廣泛適用于通訊電源、服務(wù)器電源、游戲機電源、PC電源以及各種工業(yè)類(lèi)電源。測試數據也表明,UCD3138A與UCD7138組成的電源芯片組比UCD3138A控制器單獨使用在電路中會(huì )提升將近2%的效率。

 

“現在市場(chǎng)上每個(gè)供電電源都希望盡可能的節省成本,如果供電電源很消耗電源的話(huà),其背后數據中心的消耗和費用就會(huì )更大。而在降低功耗方面,80 PLUS電源比普通電源有著(zhù)更高的轉換效率,而TI此次推出的電源芯片組則有助于實(shí)現業(yè)界最高標準的80 PLUS鈦金牌認證。”吳萬(wàn)邦強調說(shuō)。

 

80PLUS認證目前分為白牌、銅牌、銀牌、金牌、白金牌和最高端的鈦金牌,電源產(chǎn)品對于電源80PLUS認證非??粗?。鈦金牌認證要求很高,它要求10%負載、20%負載、50%負載、100%滿(mǎn)載時(shí),轉換效率分別達到90%、92%、94%和90%的高標準,鈦金牌的嚴苛要求對于電源制造商來(lái)說(shuō)又是一個(gè)挑戰。TI芯片組可優(yōu)化下一代AC/DC電源中的次級側同步整流,極大的改善了系統效率,與其他數字電源解決方案相比,可將同步整流 MOSFET電壓應力銳減一半,能夠幫助電源廠(chǎng)商應對鈦金牌認證。

 

吳萬(wàn)邦表示,UCD3138A為高集成度且可定制的數字電源管理控制器,其3x3mm的小型封裝中整合了強大的32位ARM7處理器、多個(gè)可編程硬件控制環(huán)路、高速高精度數據轉換器以及兩個(gè)通用異步收發(fā)器(UART)+PMBus接口,可為服務(wù)器、電信整流器以及大功率的DC-DC模塊中包括LLC在內的所有電源拓撲提供電源密度和高可靠性。

 

他還進(jìn)一步表示,與其他數字電源解決方案相比,該芯片組在同步整流器內對死區時(shí)間的精準控制可最大限度地減少功率損失,同時(shí)降低MOSFET故障的風(fēng)險。死區控制在很多的脈沖信號控制芯片中都得到應用,該芯片組在快速數字控制算法中采用體二極管電壓信息來(lái)動(dòng)態(tài)地優(yōu)化死區時(shí)間,并可以補償功率級組件變化,消除傳統 MOSFET VDS ON 感測器件的信噪比難題,從而無(wú)需在批量生產(chǎn)中進(jìn)行校準或篩選,提高了效率和可靠性。


產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
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HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
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飛思卡爾開(kāi)發(fā)工具 Freescale
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