存儲器IC占2018年半導體資本支出總數的53％

IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)在一年中首次在資本支出上花費超過(guò)1000億美元。這一1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長(cháng)了9％，比2016年增長(cháng)了38％。

下圖顯示，超過(guò)一半的行業(yè)資本支出預計用于內存生產(chǎn) - 主要是DRAM和閃存 - 包括對現有晶圓廠(chǎng)線(xiàn)和全新制造設施的升級?？偟膩?lái)說(shuō)，預計今年內存將占到半導體資本支出的53％。存儲設備的資本支出份額在六年內大幅增加，幾乎翻了一番，從2013年的27％（147億美元）增加到2018年的行業(yè)資本支出總額的53％（540億美元），相當于2013-2018復合年增長(cháng)率為30％。

在所顯示的主要產(chǎn)品類(lèi)別中，預計DRAM / SRAM的支出增幅最大，但預計閃存將占據今年資本支出的最大份額。預計2018年DRAM / SRAM部門(mén)的資本支出將在2017年強勁增長(cháng)82％后出現41％的增長(cháng)。預計2017年閃存的資本支出將在2017年增長(cháng)91％后增長(cháng)13％。

經(jīng)過(guò)兩年的資本支出大幅增加，一個(gè)迫在眉睫的主要問(wèn)題是，高水平的支出是否會(huì )導致產(chǎn)能過(guò)剩和價(jià)格下降。記憶市場(chǎng)的歷史先例表明，過(guò)多的支出通常會(huì )導致產(chǎn)能過(guò)剩和隨后的價(jià)格疲軟。  三星，SK海力士，美光，英特爾，東芝/西部數據/ SanDisk和XMC /長(cháng)江存儲技術(shù)都計劃在未來(lái)幾年內大幅提升3D NAND閃存容量（以及新的中國內存創(chuàng )業(yè)公司進(jìn)入市場(chǎng)） ），IC Insights認為，未來(lái)3D NAND閃存市場(chǎng)需求過(guò)高的風(fēng)險很高并且不斷增長(cháng)。