由于DRAM 廠(chǎng)近兩年來(lái)產(chǎn)能擴張幅度有限，加上制程轉換的難度，DRAM 供給成長(cháng)明顯較往年放緩，配合下半年終端市場(chǎng)消費旺季，DRAM 合約價(jià)自去年中開(kāi)啟漲價(jià)序幕。近期DRAM價(jià)格持續大漲已讓許多廠(chǎng)商吃不消，陸續調漲產(chǎn)品價(jià)格，消費者也抱怨連連。

但根據TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示，三星傳出在考慮提高競爭者進(jìn)入門(mén)檻下，可能擴大DRAM產(chǎn)能，SK海力士和美光有望跟進(jìn)擴產(chǎn)，此舉恐將改變DRAM供給緊俏格局。

三星將在平澤廠(chǎng)增設DRAM產(chǎn)線(xiàn)

傳三星電子(Samsung Electronics)正在考慮于平澤半導體廠(chǎng)二樓，移入DRAM生產(chǎn)設備。

韓媒朝鮮日報引述業(yè)界消息指出，三星新完工的平澤半導體廠(chǎng)一樓，目前已開(kāi)始生產(chǎn)3D NAND Flash，至于工廠(chǎng)二樓，傳三星正考慮移入DRAM生產(chǎn)設備，展開(kāi)DRAM擴產(chǎn)，如以晶圓投片量為基準，平均月產(chǎn)能可能高達10萬(wàn)~12萬(wàn)片左右。

稍早2017年5月，三星決定在華城17產(chǎn)線(xiàn)，進(jìn)行高達3兆韓元(約合27億美元)的DRAM產(chǎn)線(xiàn)增設投資，這項計劃目前正在進(jìn)行中。三星計劃利用華城17產(chǎn)線(xiàn)剩余空間，移入DRAM生產(chǎn)設備進(jìn)行擴產(chǎn)，平均月產(chǎn)能約3萬(wàn)片左右。

DRAMeXchange也指出，三星有意將其平澤廠(chǎng)二樓原定興建NAND的產(chǎn)線(xiàn)，部分轉往生產(chǎn)DRAM，并全數采用18nm制程，加上原有Line17還有部分空間可以擴產(chǎn)。預計三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量提升80-100K，也代表三星的DRAM產(chǎn)能可能由2017年底的390K一口氣逼近至500K的水平，亦將帶動(dòng)三星明年位元產(chǎn)出供給量由原本預估的18%成長(cháng)上升至23%。

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明年DRAM供需缺口或被彌平

DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標準型記憶體模組(DDR4 4GB) 合約價(jià)為例，從去年中開(kāi)始起漲，由當時(shí)的DDR4 4GB 13 美元均價(jià)拉升至今年第4 季合約價(jià)30.5 美元，報價(jià)連續6 個(gè)季度向上，合計漲幅超過(guò)130%，帶動(dòng)相關(guān)DRAM 大廠(chǎng)獲利能力大幅提升。

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截至目前為止，三星第2 季度DRAM 事業(yè)營(yíng)業(yè)利益率來(lái)到59%，SK 海力士也有54% 的表現，美光達44%。展望第4 季，DRAM 合約價(jià)持續上漲，各家廠(chǎng)商的獲利能力可望繼續攀升。

正因DRAM產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入寡占格局，理論上廠(chǎng)商對于高獲利的運作模式是樂(lè )觀(guān)其成，過(guò)去一段時(shí)間以來(lái)，三星對擴產(chǎn)DRAM這件事，態(tài)度其實(shí)相當保守。

然而，在連續數季內存價(jià)格上升的帶動(dòng)下，SK海力士、美光皆累積許多在手現金。

有了豐沛的資源，SK海力士將在年底進(jìn)行18nm制程轉進(jìn)，無(wú)錫二廠(chǎng)也將在明年興建，預計2019年產(chǎn)出；美光借著(zhù)股價(jià)水漲船高之際宣布現金增資，代表未來(lái)在蓋新廠(chǎng)、擴張產(chǎn)能與制程升級上預做準備，此舉無(wú)疑激起三星的警戒心，使得三星開(kāi)始思索DRAM擴產(chǎn)計劃。

三星可能采取的擴產(chǎn)動(dòng)作，除了是應對供給吃緊狀況，最重要的是借助提高DRAM產(chǎn)出量，壓抑內存價(jià)格上漲幅度。

雖然短期內的高資本支出將帶來(lái)折舊費用的提升，并導致獲利能力下滑，但三星著(zhù)眼的是長(cháng)期的產(chǎn)業(yè)布局與保有其在DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，以及與其他DRAM大廠(chǎng)維持1-2年以上的技術(shù)差距。

此外，明年堪稱(chēng)中國內存發(fā)展的元年，三星透過(guò)壓低DRAM或是NAND的價(jià)格，將能提升中國競爭者的進(jìn)入門(mén)檻，并使競爭對手虧損擴大、增加發(fā)展難度并減緩其開(kāi)發(fā)速度。

韓國業(yè)界人士進(jìn)一步指出，如果未來(lái)三星真的于平澤廠(chǎng)大舉擴產(chǎn)DRAM，那么SK海力士、美光等競爭對手，最后也只能跟著(zhù)三星腳步投入擴產(chǎn)。

DRAMeXchange表示，從整體DRAM供給來(lái)看，2018年供給年成長(cháng)率將來(lái)到22.5%，高于今年的19.5%，亦即明年DRAM供需缺口將可能被彌平，預期SK海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高，為DRAM市場(chǎng)增添新的變量。

然而，DRAMeXchange認為，三星此舉將可能改變DRAM市場(chǎng)供給緊俏格局，只是修正目前競爭對手的超額利潤，降為較合理獲利結構；再者，隨著(zhù)大廠(chǎng)將部分投資重心由NAND Flash轉往DRAM，將可望降低明年NAND Flash供過(guò)于求的情形，并進(jìn)而減緩整體NAND Flash平均售價(jià)(average selling price)下滑的速度。

三星擴廠(chǎng)或許對2018年DRAM市場(chǎng)將帶來(lái)部分沖擊，但就整體內存產(chǎn)業(yè)的長(cháng)期發(fā)展來(lái)看未必是負面消息。