摩爾定律由英特爾聯(lián)合創(chuàng )始人戈登.摩爾(Gordon Moore)提出,意思是說(shuō):當價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的晶體管數目,約每隔18個(gè)月便會(huì )增加一倍,性能也將提升一倍。不可否認,隨著(zhù)繼續向下推進(jìn)新的制程節點(diǎn)正變得越來(lái)越困難,摩爾定律正在逐漸走向極限,但不可忽視的是,在摩爾定律依然在延續的今天,中國在制造工藝上與世界先進(jìn)工藝依然存在較大差距,如何縮小這其間的差距依然是不得不思考的問(wèn)題。另外,在后摩爾時(shí)代,如何繼續推進(jìn)摩爾定律也是業(yè)界關(guān)注的問(wèn)題。IMEC中國區總裁 丁輝文
多元化應用需要多元化半導體技術(shù) 中國必須開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝節點(diǎn)
丁輝文認為,講摩爾定律,其實(shí)首先是應用推動(dòng)了芯片的成長(cháng),而在應用當中,主要是IoT、移動(dòng)通訊、云端服務(wù)這三大應用市場(chǎng)。同時(shí)這三大應用對半導體器件有不同的要求:一是IoT應用,功耗在1mW到100mW;二是移動(dòng)通訊部分,功耗是100mW到10W量級上的需求;三是云端服務(wù),追求的是速度、速率、性能,在功耗上的需求可能在100W量級。“這就變成三大應用推動(dòng)了整個(gè)半導體的研發(fā)以及半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。”丁輝文說(shuō)。
經(jīng)??梢月?tīng)到一種聲音,即“中國是不是可以不用做先進(jìn)的工藝,既然追不上最先進(jìn)的技術(shù),是否只要做28nm就夠了”?對此,丁輝文表示,IoT應用的功耗在毫瓦量級,根據功耗、性能,晶圓片上的節點(diǎn)大概做到28nm就可以了,可以不一定遵循到摩爾定律5nm、3nm。但從移動(dòng)通訊市場(chǎng)來(lái)看,目前華為、中興等領(lǐng)先的公司已經(jīng)把手機芯片做到16nm,并且量產(chǎn),現在正在做7nm的量產(chǎn)。這說(shuō)明,如果做手機芯片一定還要沿著(zhù)16nm往前走。對于云端服務(wù)類(lèi)市場(chǎng),也一定要沿著(zhù)摩爾定律繼續往前走。“因此,是否要做先進(jìn)的工藝,就必須搞清楚對這三大應用市場(chǎng)需要自主掌控的程度。”丁輝文說(shuō),如果只做IoT,那么做到28nm就可以了,但要在手機、服務(wù)器市場(chǎng)自主掌握,那設計工藝也要匹配到相應的工藝節點(diǎn),這是核心的部分。
摩爾定律能持續發(fā)展到2025年,7nm之后如何延續摩爾定律?
目前,遵循摩爾定律,晶體管尺寸還在繼續縮小,不管是Logic,還是NAND,抑或DRAM,只不過(guò)到2016年,2DNDAN開(kāi)始往3DNAND的方向走。“IMEC目前正在與合作伙伴一起做一個(gè)邏輯工藝的研發(fā)平臺,現在已經(jīng)可以做到65nm、45nm、28nm、20nm、14nm、10nm。”丁輝文直言,在T-1階段,離現在兩年的時(shí)間,IMEC做的是5nm、7nm的研究,7nm幾乎完成。再往前兩年,IMEC還在做2nm、3nm的研究,以致于最新的研究導入的技術(shù)還在探討2nm。“換句話(huà)說(shuō),我們的整個(gè)研發(fā)平臺是從小于2nm做到5nm、7nm。”
據介紹,IMEC還打造了一個(gè)完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài),包括Intel、三星、TSMC、海思、高通、ARM等公司。“我們幾乎吸引了全部設備公司和材料公司,以及全球大概600家系統級廠(chǎng)商一起研究未來(lái)的器件,推動(dòng)整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展。”丁輝文說(shuō)。丁輝文稱(chēng),實(shí)際上,每當摩爾定律走到一個(gè)難走的狀態(tài),就會(huì )出現一些新的技術(shù)。比如,2013年、2014年如果沿著(zhù)28nm再往前周,平面的工藝幾乎走到盡頭,摩爾定律可能就偏離摩爾定律了,這時(shí)就是出現了三維的FinFET,到2020年,當往前走到7nm,你會(huì )發(fā)現這個(gè)路也走不通,這時(shí)可能會(huì )有其它的方法,如SiGa channel、LNW出現。這使得半導體器件能繼續沿著(zhù)摩爾定律往前走。
另外,目前MRAM和RRAM、PCM這些新的Memory已經(jīng)到了非??拷a(chǎn)品化和產(chǎn)業(yè)化的狀態(tài),加上新的架構,也能使摩爾定律繼續往前延伸。在計算部分,業(yè)界也還在不斷尋找是否有新的產(chǎn)品和技術(shù),新的結構、新的材料能夠讓半導體器件繼續往前延伸。另外,IMEC也在研究神經(jīng)形態(tài)計算、quantum computing,未來(lái)晶體管有可能走不下去,用這個(gè)方法去替代,形成整個(gè)產(chǎn)業(yè)界對摩爾定律的追求。
丁輝文稱(chēng),總的來(lái)講,摩爾定律一直在向前延伸,當摩爾定律偏離方向,通過(guò)新的產(chǎn)品和技術(shù)、新的架構,新的材料,可以再回到摩爾定律上,這在10nm、7nm工藝節點(diǎn)都可能發(fā)生。再往前走到5nm工藝節點(diǎn),EUV會(huì )把5nm以下的器件的成本降低,如果不行,又會(huì )通過(guò)新的方案,比如新的機器學(xué)習,量子計算等新的方案回到摩爾定律。在他看來(lái),摩爾定律將會(huì )持續到2025年以后。
在制造工藝上,中國如何趕超世界先進(jìn)技術(shù)?
目前在制造工藝上,中國與世界先進(jìn)工藝節點(diǎn)依然存在較大差距。那么,中國該如何趕超世界先進(jìn)水平的思路?對此,丁輝文提出了自己的觀(guān)點(diǎn)和對策。一是邏輯代工對標TSMC——集中火力,(緊追摩爾+客戶(hù)培養)*VIRTUAL IDM。即由代工廠(chǎng)負責,集中央到地方資金支持。技術(shù)來(lái)源則可參加IMEC會(huì )員,與全球所有公司享有同等權利,IP、數據、團隊參與研發(fā),目前IMEC研發(fā)5nm。這樣幾年后,有機會(huì )縮短甚至趕超。
在商業(yè)模式上,一方面是市場(chǎng)化,以市場(chǎng)和股東利益為主導,采用pure play foundry模式,這種模式廣泛被國際接受。由于客戶(hù)和研發(fā)的技術(shù)、時(shí)間點(diǎn)和經(jīng)濟指標匹配難,追趕速度可能慢。另一方面是國家戰略,以擁有和趕超先進(jìn)技術(shù)為主導,采用Virtual IDM模式。這種模式投資較大,效率較低,但是由于客戶(hù)和研發(fā)的技術(shù)、時(shí)間點(diǎn)和經(jīng)濟指標匹配較容易,追趕速度可能快。在盈利方面,則可通過(guò)投資被扶持的設計公司的成功而獲利,如UMC-聯(lián)發(fā)科模式。對于設計公司來(lái)說(shuō),則可以從傍大款模式和山寨模式轉向VIRTUAL IDM模式。丁輝文解釋稱(chēng),大款意即獨家或單一市場(chǎng)訂單就能支撐某個(gè)供應商的生存,如華為支撐海思,另外一種就是巨型終端公司,如華為、OPPO、VIVO等,還有一種是代工廠(chǎng),如SMIC、華虹。在丁輝文看來(lái),設計公司一方面可以拼創(chuàng )新,包括與終端公司合作,定義和開(kāi)發(fā)未來(lái)N年使得終端產(chǎn)品有市場(chǎng)優(yōu)勢(絕活)的核心技術(shù),以及與Foundry合作形成特殊工藝(通常同時(shí)帶來(lái)成本優(yōu)勢),這將會(huì )產(chǎn)生巨大競爭優(yōu)勢,同時(shí)也需要長(cháng)期積累。另一方面可以拼成本,這只是入門(mén)戰略,市場(chǎng)變化往往很快,或紅海一片,因此,能否持續研發(fā),并建立穩定制造等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)系是關(guān)鍵。
二是研發(fā)中心對標IMEC,借力IMEC。比如,利用IMEC,在中國成立IMEC研究中心,在IMEC的研發(fā)基礎上做加法,避免重復投資,重復研發(fā)。
“半導體工藝尺寸的縮小和摩爾定律能持續發(fā)展到2025年以后,中國半導體有成功的歷史機遇,巧用國際和國內資源,中國有機會(huì )在各領(lǐng)域趕超世界先進(jìn)水平。” 丁輝文如是說(shuō)。