DRAMeXchange全球半導體觀(guān)察表示，現貨市場(chǎng)也依然維持強勁的上升格局，DDR3／4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.46／2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見(jiàn)市場(chǎng)對于后市上漲仍將持續保持樂(lè )觀(guān)的態(tài)度。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀(guān)察市場(chǎng)面，由于原廠(chǎng)產(chǎn)能陸續轉進(jìn)移動(dòng)式內存與服務(wù)器內存后，標準型內存產(chǎn)能已低于20%以下，加上廠(chǎng)商庫存水位偏低與旺季需求比預期更佳，標準型內存出現歷年少見(jiàn)在無(wú)工廠(chǎng)意外情況下而價(jià)格暴漲的情形，此效應也讓其他的DRAM產(chǎn)品在第四季皆有漲幅。
近期上漲行情成寡占格局最佳典范，長(cháng)期不利中國廠(chǎng)商進(jìn)軍內存產(chǎn)業(yè)
吳雅婷指出，2016下半年在全球智能手機與服務(wù)器需求強勁下，DRAM產(chǎn)能迅速轉進(jìn)移動(dòng)式內存與服務(wù)器用內存，標準型內存因此面臨供需嚴重失衡，成為DRAM價(jià)格全面起漲的契機。同時(shí)，三大DRAM廠(chǎng)間關(guān)系也發(fā)生了微妙的變化，首先三者認同自己現在的競爭態(tài)勢，不再為搶占市占率而非理性擴產(chǎn)，在共榮共存的前提下，也都遵循最大供貨商的價(jià)格策略，不再削價(jià)競爭，以確保自身最大獲利。
此外，DRAMeXchange預估各家原廠(chǎng)對2017年DRAM資本支出將不會(huì )擴大，較今年持平或是下修可能性高，意味軍備競賽暫告落幕，以獲利為首要目標將是DRAM廠(chǎng)一致的共識，2017年產(chǎn)能年成長(cháng)也將創(chuàng )下近八年來(lái)最低，供給位元年成長(cháng)率低于20%。
值得注意的是，中國政府近年宣示進(jìn)軍內存產(chǎn)業(yè)，時(shí)值市場(chǎng)狀況不佳，借并購與合作確實(shí)是切入內存產(chǎn)業(yè)的最佳時(shí)機點(diǎn)，韓系廠(chǎng)商都處于獲利階段，與中國合作意愿不高，反觀(guān)財務(wù)狀況不佳的美光自然是中國政府的目標，然而，經(jīng)由這次韓系DRAM大廠(chǎng)主導的漲價(jià)，不光幫助美光擺脫財務(wù)窘境，在未來(lái)持續獲利的情況下，也無(wú)形降低美光與中國合作的意愿，畢竟在中國大舉進(jìn)軍存儲產(chǎn)業(yè)的背景下，三大DRAM廠(chǎng)不免感到壓力。
吳雅婷表示，此波漲價(jià)蘊含著(zhù)三大DRAM原廠(chǎng)的近期目標與長(cháng)期策略，近期可讓自身維持不錯的獲利結構，長(cháng)期則可提高中國進(jìn)軍內存產(chǎn)業(yè)的門(mén)檻。
