三星電子 電子設計模塊
一直在先進(jìn)工藝晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14納米FinFET工藝劫走所有高通(Qualcomm)的訂單。最近，三星宣布推出采用其14納米LPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯工藝。
香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻所有臺積電訂單的近兩成，到2017年之后會(huì )將大多數10/14納米訂單轉往三星：“三星會(huì )是未來(lái)高通14納米芯片與數據機的獨家供應商；10納米節點(diǎn)也會(huì )是相同的情況。”
三星14納米LPP先進(jìn)工藝技術(shù)
三星表示，高通正采用該公司最新的14納米LPP工藝生產(chǎn)其Snapdragon 820處理器，首批產(chǎn)品將會(huì )應用于今年上半年推出的移動(dòng)設備中；三星還強調該公司是FinFET技術(shù)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，其第一代FinFET工藝在2015年第一季推出，當時(shí)該公司采用自家14納米LPE (Low-Power Early)工藝生產(chǎn)Exynos 7八核心處理器。而三星將采用新的14納米LPP工藝生產(chǎn)Exynos 8八核心處理器。
以上三星的新訊息，恰巧與臺積電在1月14日的最新預測同時(shí)發(fā)布。臺積電估計該公司在16/14納米節點(diǎn)市場(chǎng)的2016年占有率，將由2015年的50%增加為70%；同時(shí)臺積電也預測市場(chǎng)對其16納米產(chǎn)品需求增加，將貢獻該公司2016年度業(yè)績(jì)的兩成左右。
三星與臺積電都在開(kāi)發(fā)較低價(jià)版本的FinFET工藝，以保持市場(chǎng)競爭力。在2015年第四季，臺積電完成開(kāi)發(fā)16nm FinFET Compact (FFC)工藝，是該公司在2015年中發(fā)表的16納米FinFET工藝的較低功耗、較低成本版本。臺積電預計16納米FFC工藝會(huì )在本季開(kāi)始量產(chǎn)。
而三星系統LSI業(yè)務(wù)與行銷(xiāo)副總裁Charlie Bae表示，該公司將會(huì )繼續提供先進(jìn)14納米FinFET工藝技術(shù)的衍生版本，以維持技術(shù)領(lǐng)導地位。三星表示其最新14納米LPP工藝透過(guò)電晶體結構與技術(shù)的優(yōu)化，能提供比前一代LPE工藝技術(shù)高15%的速度與低15%的功耗。
此外三星也表示，透過(guò)采用空乏(fully-depleted) FinFET電晶體，能提供強化的制造能力以克服工藝微縮極限。三星預期14納米FinFET工藝能應用于手機以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)芯片，還有需求高性能與省電的各種連網(wǎng)與車(chē)用芯片。
臺灣媒體稱(chēng)，臺積電將在今年第一季度完成10nm制造工藝的流片，并在第四季度開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)階段。在三星還在為14納米工藝產(chǎn)能尋找合作伙伴時(shí)，臺積電整整提前一年完成預定目標，2015年臺積電的半導體研發(fā)投入也創(chuàng )同行業(yè)新高。
移動(dòng)設備訪(fǎng)問(wèn)
