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2016年全球DRAM市場(chǎng)比拼20納米產(chǎn)能

 關(guān)鍵字:全球DRAM市場(chǎng)  20納米  產(chǎn)能  電子設計模塊

2015年受到需求面不振、持續供過(guò)于求的影響,DRAM價(jià)格呈現顯著(zhù)衰退,尤其以標準型內存最為明顯。TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,在寡占市場(chǎng)型態(tài)下,雖然小幅供過(guò)于求且價(jià)格持續下滑,各供貨商生產(chǎn)仍保持紀律,未有明顯新增產(chǎn)能,因此延續2013年與2014年態(tài)勢,今年DRAM各廠(chǎng)仍維持全面獲利。

 

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,2016年雖然受惠于智能手機及服務(wù)器的需求影響,單機搭載容量會(huì )有顯著(zhù)提升,但各項終端產(chǎn)品仍難有爆發(fā)性的發(fā)展。

DRAMeXchange預估2016年整體DRAM需求增長(cháng)約為23%,供給位元成長(cháng)約為25%。市場(chǎng)仍維持小幅供過(guò)于求,DRAM單價(jià)持續下滑,各家獲利能力將大幅取決于制程轉進(jìn)所帶來(lái)的成本下降以及產(chǎn)品組合的調配。

 

2016年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢分析如下:

 

年度位元產(chǎn)出來(lái)自20納米制程轉進(jìn),晶圓投片量大約持平

吳雅婷表示,DRAM屬寡占市場(chǎng)型態(tài),各供貨商在產(chǎn)能的擴張上皆有所節制,相較仍處于完全競爭市場(chǎng)型態(tài)的NAND Flash健康許多。2016年的位元產(chǎn)出主要是來(lái)自于SK海力士與美光半導體20/21納米的轉進(jìn),晶圓產(chǎn)能上,除三星的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠(chǎng)M14會(huì )陸續啟用之外,2016年DRAM總投片量與2015年呈現持平。

 

DDR4正式取代DDR3成為市場(chǎng)主流

 

隨著(zhù)市場(chǎng)需求轉變以及20納米逐漸成熟,DDR4的生產(chǎn)比例越來(lái)越高。2015年由于Intel平臺支持度的問(wèn)題,DDR4的導入主要發(fā)生在服務(wù)器端,并且已經(jīng)率先在第四季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預估,個(gè)人計算機(PC)/筆記本電腦端由新平臺Skylake開(kāi)始采用DDR4,將會(huì )在2016年第二季起放量,成為主流解決方案。

 

行動(dòng)式內存與服務(wù)器內存生產(chǎn)比重持續提升

 

智能手機受惠于20nm制程產(chǎn)出的LPDDR4普及度越來(lái)越高,高端旗艦機型(除蘋(píng)果以外)以3GB/4GB為標準規格。吳雅婷指出,2016年第二季起就會(huì )有單機DRAM搭載容量上達6GB的機型問(wèn)市,大幅增加移動(dòng)式內存的需求動(dòng)能。服務(wù)器內存亦然,受惠于20nm制程產(chǎn)出的DDR4普及度升高,在高容量32GB/64GB組件成本降低,促使廠(chǎng)商策略性調降價(jià)格以刺激需求,有助于服務(wù)器內存生產(chǎn)比重提升。

 

中國大陸進(jìn)軍DRAM意圖仍在,但進(jìn)入門(mén)坎高,難有進(jìn)展

 

2016年中國大陸持續發(fā)展半導體的策略不變,仍將有許多并購發(fā)生,內存方面更是中國大陸發(fā)展的重點(diǎn)項目之一。吳雅婷進(jìn)一步表示,與NAND Flash較為混亂的市場(chǎng)態(tài)勢相較,DRAM市場(chǎng)三強鼎立的狀態(tài)結構穩固,引進(jìn)新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過(guò)于求,因此三強與中國大陸合作可能性低,使得中國大陸欲進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)的困難度遠高過(guò)其他半導體產(chǎn)品類(lèi)別。

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現貨供應商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開(kāi)發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動(dòng)化工業(yè)系統
網(wǎng)絡(luò )攝像機
行車(chē)記錄儀
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