關(guān)鍵字：中國制造2025 功率半導體 功率器件 電子模塊
隨著(zhù)電力電子在能源管理、發(fā)電與配電領(lǐng)域發(fā)揮著(zhù)重要的作用，緊握“中國智造”來(lái)臨的新機遇，功率、控制市場(chǎng)迎來(lái)了強勁的增長(cháng)驅動(dòng)力。中國電子電力市場(chǎng)的強勁勢頭也預期將延續至2025年，CCID的數據預計中國IGBT市場(chǎng)會(huì )由2010年的8.94億美元躍升至2015年的24億美元，期望達到2020年的55億美元。
英飛凌科技香港有限公司工業(yè)功率控制事業(yè)部總監馬國偉博士指出，中國制造2025的核心在于自動(dòng)化、智能化、新能源、高能效以及資源的有效利用。它涉及到先進(jìn)軌道交通裝備、電力設備、節能與新能源汽車(chē)、農業(yè)機械裝備、高檔數控機器床和機器人、新一代信息技術(shù)、海洋工程裝備及高技術(shù)船舶、生物醫療及高性能醫療器械、新材料、航空航天裝備等多個(gè)應用領(lǐng)域。“可以說(shuō)，中國制造2025與英飛凌的企業(yè)戰略不謀而合，英飛凌的大功率半導體在發(fā)電、輸配電和電力使用等整個(gè)電能供應鏈中發(fā)揮了全方位的關(guān)鍵作用。”馬國偉說(shuō)。
他解釋說(shuō)，軌道交通、輸配電、新能源等領(lǐng)域是英飛凌一直以來(lái)關(guān)注的重點(diǎn)。去年，中國簽署了出口南非Transnet電力機車(chē)合同，該合作是中國目前高端軌道交通裝備整車(chē)出口的最大訂單；CIT500型的試驗速度達到了605公里/小時(shí)，在這些項目中，英飛凌的功率器件和功率模塊產(chǎn)品都起到了至關(guān)重要的作用。
在輸配電領(lǐng)域，跨越云南、廣西、廣東三省區的云廣±800千伏超高壓直流輸電示范工程是世界上第一個(gè)±800kV特高壓直流輸電工程，是一條電力超級“高速公路”；廣東汕頭南澳島上，世界第一個(gè)多端柔性直流輸電示范工程——南澳±160kV多端柔性直流輸電示范工程能至少提高風(fēng)電利用率5%-10%。這兩個(gè)工程的幕后同樣有英飛凌大功率半導體的身影。
在新能源光伏領(lǐng)域，英飛凌與光伏逆變器制造企業(yè)陽(yáng)光電源一直保持緊密合作，截至2015年1月，英飛凌為陽(yáng)光電源交付了10萬(wàn)個(gè)PrimePack? IGBT模塊，每年可再生能源總計發(fā)電116億千瓦時(shí)，相當于300萬(wàn)人的年人均用電量或0.5~1億人的生活用電，總計年減排1000萬(wàn)噸二氧化碳。
根據IC Insights最新的報告，在經(jīng)歷了2012~2013年連續兩年的下跌之后，全球功率晶體管市場(chǎng)在2014年強勢反彈，銷(xiāo)售額增長(cháng)14%。預計2015年功率晶體管的銷(xiāo)售額將繼續保持增長(cháng)，增長(cháng)率可達6%，將創(chuàng )出140億美元的記錄新高。“面對強勁的市場(chǎng)增長(cháng)，英飛凌也推出了全新的工業(yè)功率器件及一體化的解決方案，針對軌道交通、輸配電、再生能源和智能制造應用領(lǐng)域，為中國制造2025全面發(fā)力。”馬國偉表示。
例如英飛凌最新一代PrimePACK功率模塊為提高風(fēng)電、光伏和工業(yè)傳動(dòng)等應用的功率密度和系統壽命及可靠性提供了最佳解決方案。它結合了IGBT5和創(chuàng )新.XT技術(shù)，是IGBT芯片和模塊技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要里程碑；晶閘管是控制超高電流和電壓的理想之選，全新的光觸發(fā)晶閘管首次集成了正向恢復保護（FRP）功能，可增強系統可靠性、降低系統成本，并簡(jiǎn)化超大功率應用的設計；智能功率模塊MIPAQ? Pro支持在風(fēng)電、光伏和工業(yè)傳動(dòng)應用中實(shí)現各種可擴展的緊湊型逆變器設計，在可靠耐用的封裝中集成了IGBT、柵極驅動(dòng)器、散熱器、傳感器、數字控制以及數據總線(xiàn)通信以及安全認證功能；高性能可靠的IGBT模塊是工業(yè)和牽引驅動(dòng)、風(fēng)能和光伏、遠距離輸電等應用的關(guān)鍵技術(shù)，全新的XHP大功率模塊平臺的靈活性和可擴展性極大地簡(jiǎn)化了系統設計，能夠讓開(kāi)發(fā)人員縮短產(chǎn)品從設計到投放市場(chǎng)的所需時(shí)間。
值得一提的是，全新高功率模塊采用了最新的封裝技術(shù)，有助于減少系統總成本和確保設計的未來(lái)適用性；而全新可控逆導型IGBT芯片是在同一芯片上集成了IGBT和續流二極管，電流密度提高了33%，散熱能力也有所提升，非常適合現代高速列車(chē)和高性能電力機車(chē)，以及未來(lái)的HVDC輸電系統和礦用傳動(dòng)裝置。
移動(dòng)設備訪(fǎng)問(wèn)
