存儲產(chǎn)業(yè)中國隊大兵團推進(jìn)，韓國隊欲以妙計化危局

"足球，我不行；半導體，你不行！" 中國政府今年六月宣布成立“中國國際集成電路新技術(shù)研究企業(yè)（中新半導體）”，該企業(yè)是由世界排名第五的半導體委托加工企業(yè)中芯國際（SMIC）、中國智能手機廠(chǎng)商華為、比利時(shí)半導體設計商IMEC、以及美國移動(dòng)通信半導體廠(chǎng)商高通等四家企業(yè)聯(lián)合投資的。以此為契機，中國加快了開(kāi)拓半導體市場(chǎng)的步伐。中國的策略不是緊跟韓國或美國，而是希望徹底掌握主動(dòng)權。而韓國企業(yè)對此也制定了相應的策略，以下是來(lái)自韓國媒體《今日亞洲》的文章分析。

 

不景氣陰霾下的半導體產(chǎn)業(yè)

 

目前全球半導體市場(chǎng)即將迎來(lái)困難時(shí)期。這是因為隨著(zhù)智能手機和電腦市場(chǎng)的停滯，明年全球半導體市場(chǎng)大有可能迎來(lái)新的低迷。智能手機和電腦需求減少會(huì )對半導體存儲器生產(chǎn)廠(chǎng)商產(chǎn)生直接的負面影響。

 

 

 

 

今年全球DRAM市場(chǎng)的規模為486.07億美元，而預計2016年將下降到441.95億美元，規模減少約9.1%。DRAM和NAND閃存同為臨時(shí)存儲數據的裝置，主要用于智能手機、電腦和平板電腦等智能產(chǎn)品。

 

業(yè)內估計DRAM市場(chǎng)的負增長(cháng)會(huì )持續至后年，即2017年的市場(chǎng)規模為441.1億美元，與2016年相比減少約0.2%。而NAND閃存的市場(chǎng)前景相對較好，從今年開(kāi)始至2017年都會(huì )持續增長(cháng)，但從2018年開(kāi)始會(huì )出現大約2.3%的負增長(cháng)。因此今后2~3年內半導體存儲器廠(chǎng)商都要做出相應調整。

 

和DRAM不同，NAND閃存即使在停電的情況下也能保存數據，因此即使DRAM已經(jīng)進(jìn)入低迷時(shí)期，NAND閃存市場(chǎng)在未來(lái)短期內仍將持續發(fā)展，因此被半導體存儲器廠(chǎng)商看作是新的增長(cháng)動(dòng)力。

 

全球半導體存儲器市場(chǎng)于今年達到鼎盛期之后即將開(kāi)始下滑。從上世紀八十年代初開(kāi)始到2005年為止，該行業(yè)出現的每四年為一個(gè)周期的行情被稱(chēng)為“硅周期”。受該周期影響，90年代中期出現的大約20多家DRAM廠(chǎng)商到21世紀初期減少為10多家，而近年更減少為6、7家。在這場(chǎng)半導體市場(chǎng)的“斗雞游戲”中，只有最后的勝者才能獨享市場(chǎng)利益。

 

業(yè)界人士表示，即使那些在半導體存儲器市場(chǎng)上占據前兩名的企業(yè)也不敢掉以輕心，它們通過(guò)精細加工和開(kāi)發(fā)系列產(chǎn)品等舉措提高競爭力，并推出第四代內存和固態(tài)硬盤(pán)（SSD），力求不在激烈的競爭中失去市場(chǎng)。

 

半導體市場(chǎng)低迷，三星電子和SK海力士有何良策？

 

隨著(zhù)半導體業(yè)界以四年為周期的“硅周期”被打破，三星電子和SK海力士也做出了相應調整。DRAM市場(chǎng)在2000年后雖然較為穩定，但振蕩周期卻縮減為1~3年，因此市場(chǎng)預測十分困難。

 

 

 

 

除了確保DRAM的收益之外，開(kāi)發(fā)其他系列產(chǎn)品也非常重要。因此在國際DRAM市場(chǎng)上排前兩名的三星電子和SK海力士依賴(lài)頂尖技術(shù)，不僅希望能夠節約成本，更希望開(kāi)發(fā)具有市場(chǎng)競爭力的大容量存儲器。此外為了減低對DRAM的依賴(lài)程度，也在大力研發(fā)NAND閃存等其他半導體存儲器以及非半導體存儲器。

 

DRAM市場(chǎng)的良好發(fā)展勢頭從2013年一直持續到今年，雖然有報道稱(chēng)從明年開(kāi)始會(huì )出現負增長(cháng)，這卻不會(huì )對三星電子和SK海力士造成太大打擊。這是因為三星電子和SK海力士今年一季度的DRAM市場(chǎng)占有率達到71.7%，使得韓國企業(yè)在DRAM市場(chǎng)上不僅擁有領(lǐng)先技術(shù)，盈利能力也處于領(lǐng)先地位。

 

DRAM市場(chǎng)在一直在低谷和頂峰之間起伏。90年代中期出現的20多家企業(yè)進(jìn)入21世紀后只剩下10多家。而最近一至五名的企業(yè)占有97%的市場(chǎng)份額，而其余的廠(chǎng)商則分享剩下的3%。

 

而業(yè)界流傳的四年周期也只是電腦DRAM市場(chǎng)的特征，在移動(dòng)市場(chǎng)上早已不再出現。業(yè)內人士稱(chēng)，DRAM市場(chǎng)的重心已經(jīng)從電腦轉向移動(dòng)裝置，因此四年周期已不復存在。IT產(chǎn)品的種類(lèi)繁多，因此DRAM的種類(lèi)也變得更多樣，市場(chǎng)也更為復雜，不存在顯而易見(jiàn)的規律。

 

中國開(kāi)始進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)成功可能性不大

 

從2002年到2004年，DRAM市場(chǎng)實(shí)現了飛速發(fā)展，而2005年經(jīng)過(guò)短暫停滯后于2006年重新找回了發(fā)展的活力，當年DRAM市場(chǎng)規模突破330億美元，而2007年由于供過(guò)于求，行業(yè)內部出現了殘酷的生存競爭。在行業(yè)低迷的同時(shí)又遭遇了2008年金融危機，因此當年DRAM市場(chǎng)規?？s減為235億美元。

 

這次不景氣一直持續到2009年，在這三年間DRAM市場(chǎng)上只剩下三星電子、SK海力士和美光科技（Micron Technology）這三家巨頭。2010年DRAM市場(chǎng)戰勝了低迷，取得了74.7%的增長(cháng)，市場(chǎng)規模接近400億美元。隨后兩年雖然出現了負增長(cháng)，但從2013年到現在保持了良好的發(fā)展勢頭。

 

預計今年DRAM市場(chǎng)規模將達到486億美元，雖然從明年開(kāi)始會(huì )重現出現負增長(cháng)，但韓國企業(yè)由于實(shí)現了DRAM產(chǎn)品的規模經(jīng)營(yíng)，因此不會(huì )承受太大沖擊。

 

雖然在政府的主導下中國開(kāi)始進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)，但業(yè)界認為成功可能性不大。和韓國相比，中國不具備技術(shù)該行業(yè)的競爭優(yōu)勢，雖然中國希望通過(guò)并購存儲器廠(chǎng)商來(lái)縮小差距，但并購對象大多是已經(jīng)被淘汰的廠(chǎng)商。

 

韓國企業(yè)針對電腦需求下滑和DRAM價(jià)格下降的趨勢，積極研發(fā)服務(wù)器和手機用DRAM，以及LPDDR4和DDR4等高性能存儲器。

 

半導體專(zhuān)家建議開(kāi)發(fā)非存儲器來(lái)化解危局

 

面對中國企業(yè)的飛速發(fā)展和市場(chǎng)低迷，半導體業(yè)內專(zhuān)家建議韓國企業(yè)在非存儲半導體（系統半導體）方面提高競爭力。專(zhuān)家們還一致認為政府的支持對增強企業(yè)的技術(shù)力量至關(guān)重要。

 

IT行業(yè)未來(lái)的發(fā)展方向是物聯(lián)網(wǎng)，而非存儲半導體是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展的核心競爭力。韓國業(yè)內認為，三星電子和SK海力士等韓國半導體廠(chǎng)商的重心普遍傾向DRAM等半導體存儲器，因此當務(wù)之急是要抓緊開(kāi)發(fā)非存儲半導體。

 

中央大學(xué)電子電器工學(xué)教授Hwang HoJeong（音）認為，如果企業(yè)不能打進(jìn)非存儲半導體市場(chǎng)，就等于用一條腿走路，畢竟非存儲器也和存儲器一樣有良好的市場(chǎng)前景。尤其是物聯(lián)網(wǎng)等未來(lái)的高收益型產(chǎn)業(yè)和非存儲器半導體有直接關(guān)系，因此在該領(lǐng)域要進(jìn)行大規模研發(fā)。

 

事實(shí)上在過(guò)去20年間，業(yè)界一直有研發(fā)非存儲器的意愿，然而技術(shù)和政府扶持是關(guān)鍵。最近中國政府并購美國半導體企業(yè)的傳聞證實(shí)了政府在扶持半導體企業(yè)上的作用，即大規模的資金投入需要政府層面的保障。反觀(guān)韓國，政府決定明年縮減40%的研發(fā)投資對象，因此在半導體研發(fā)上的政府投入也會(huì )相應減少。

 

業(yè)內專(zhuān)家還指出，為占領(lǐng)非存儲器半導體市場(chǎng)，企業(yè)需要對物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)和相關(guān)服務(wù)需求做出準確判斷。物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)四大環(huán)節是處理、存儲、感知、傳達，其中除了感知以外的其他環(huán)節都要使用非存儲器半導體來(lái)進(jìn)行操作。