科學(xué)家實(shí)現芯片間納米級雷射傳輸

在芯片間以及芯片與電路板間傳送通信訊號，是全球各地研究人員密集研究的重要領(lǐng)域之一。如今，美國西雅圖的華盛頓大學(xué)(University of Washington)和加州史丹佛大學(xué)(Stanford University)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種可利用電子調變簡(jiǎn)化光通信的納米級芯片雷射技術(shù)。

 

由于芯片雷射所能制作的材料大部份都和硅基板不相同，但研究人員們對于在標準硅芯片上整合其厚度僅0.7nm的原子級雷射寄予厚望。

 

“目前我們在硒夾層之間利用鎢光子腔，但希望未來(lái)能以氮化硅達到相同的結果，”電子工程學(xué)教授A(yíng)rka Majumdar表示。Arka Majumdar與研究員Xiaodong Xum及其博士生助理Sanfeng Wu共同進(jìn)行這項研究。

 

 

一種利用厚度僅3個(gè)原子的超薄半導體材料，可將光子腔擴展成發(fā)射光線(xiàn)。（來(lái)源：華盛頓大學(xué)）
 

 

根據Majumdar與Wu表示，這種厚度僅約3個(gè)原子的材料是目前最薄的半導體，不僅具有超高能效，而且能夠只以27nW的訊號進(jìn)行電光調變，使其成為芯片上通信的理想選擇。這種新材料還鼓勵了其他研究團隊，利用這種新的半導體打造LED 、太陽(yáng)能電池以及晶|體管。

 

利用這種材料制作納米雷射，需要打造一個(gè)可集中光線(xiàn)的限光腔體，并從鎢基材料層塑造而成。這種材料的優(yōu)點(diǎn)可加以調整，并用于在標準頻率實(shí)現芯片上、芯片之間以及板級間通信。

 

接下來(lái)，該研究團隊將仔細地分析材料特性，以及利用氮化硅材料進(jìn)行實(shí)驗，期望取得進(jìn)一步的進(jìn)展。

 

這項研究由美國空軍辦公室的科學(xué)研究、國家科學(xué)基金會(huì )(NSF)、華盛頓的清潔能源研究所、美國能源署以及歐洲委員會(huì )(EC)等單位提供資金贊助。