傳統的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠(chǎng)商開(kāi)始轉向3D閃存，這其中三星動(dòng)作最快，去年就已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤(pán)也上市了。東芝/閃迪系也在跟進(jìn)，在日本擴建Fab 2工廠(chǎng)準備3D閃存生產(chǎn)，Intel/美光系去年底也公開(kāi)了他們的3D NAND閃存，現在也準備量產(chǎn)了。日前美光宣布投資40億美元擴建新加坡的Fab 10晶圓廠(chǎng)，明年底開(kāi)始量產(chǎn)第二代3D NAND閃存。
美光在新加坡現有Fab 10N晶圓廠(chǎng)，每月產(chǎn)能約為14萬(wàn)片等效晶圓，這次投資新建的是Fab 10X晶圓廠(chǎng)，主要生產(chǎn)第二代3D NAND閃存，建成后每月產(chǎn)能還是大約14萬(wàn)片等效晶圓，不過(guò)之后就是3D NAND閃存了，因此總產(chǎn)能更大，在未來(lái)的幾年里可支撐每年bit容量增長(cháng)40-50%。
此次投資總額約為40億美元，整個(gè)項目要到2017財年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015財年先期投資為5億美元。
美光的Fab 10X工廠(chǎng)主要是生產(chǎn)第二代的3D NAND閃存，根據Intel之前所說(shuō)，二代3D NAND閃存最高可以堆疊32層NAND，die核心容量則高達256Gb，這樣就能達到1TB容量，如果是TLC閃存，die容量則可以達到384Gb，2mm厚度下就能實(shí)現1TB的容量，也就是一張SD卡的大小就有TB+的容量。
在美光的路線(xiàn)圖上，平面的16nm工藝之后他們就會(huì )100%專(zhuān)注于3D NAND閃存，2015年底首先會(huì )在消費級市場(chǎng)推出3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)，不過(guò)這個(gè)應該是第一代3D NAND的，堆疊層數為16層，比三星的V-NAND略低。
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