工研院IEK ：下一代內存的那點(diǎn)事

國際半導體技術(shù)藍圖(ITRS)及國際內存大廠(chǎng)一致認為，主流內存DRAM及NAND Flash因組件特性及物理結構等先天問(wèn)題，將在1xnm以下遇到制程微縮的重大挑戰與瓶頸，將嚴重影響其成本、容量及效能的發(fā)展情形。

 

工研院IEK產(chǎn)業(yè)情報網(wǎng)指出，為了持續降低內存的單位成本、提升容量與增加效能，諸多新技術(shù)正在進(jìn)行研發(fā)，例如3D Memory，3D IC/TSV等，而下世代內存也有機會(huì )突破上述限制，從不同的材料與設計著(zhù)手，并在2016~2021年有機會(huì )開(kāi)始取代目前主流內存，例如PCM、RRAM、STT-MRAM等。

 

2012年全球內存市場(chǎng)規模與增長(cháng)率

 

下世代內存介紹

 

ITRS成立下世代內存工作小組，挑選數個(gè)下世代內存技術(shù)，并進(jìn)一步評估何者具未來(lái)發(fā)展潛力，以持續聚焦加強研發(fā)并實(shí)現商業(yè)化。除了PCM已商品化之外，ITRS認為STT-MRAM和RRAM具有較大的未來(lái)發(fā)展潛力。

 

一般產(chǎn)業(yè)界認為，具未來(lái)發(fā)展潛力的下世代內存技術(shù)需具備以下特性：運作機制為已知(Mechanism)、具有良好的效能、在16nm以下，可再微縮多個(gè)世代、在5~10年內(2016~2021)可準備好試產(chǎn)。

 

國內外各大廠(chǎng)商（三星、東芝、海力士、美光、爾必達等）都非常重視下世代內存技術(shù)的發(fā)展，也持續投入不少研發(fā)能量，主要包括PCM、STT-MRAM及RRAM等，待未來(lái)競逐每年1,000億美元的內存市場(chǎng)大餅(2020年)。

 

全球主要投入下世代內存之廠(chǎng)商說(shuō)明