傳3nm試產(chǎn)延后？臺積電這樣回應...

據經(jīng)濟日報早間引述供應鏈消息稱(chēng)，為應對美國擴大封鎖華為，臺積電通知設備廠(chǎng)，決定延后5nm擴建及3nm試產(chǎn)腳步至明年首季。

報道指出，來(lái)自臺積電供應鏈方透露 ，臺積電在上周已經(jīng)緊急通知設備商，將原來(lái)應自7月起到年底交貨的設備盡數叫停。報道進(jìn)一步指出，臺積電方面不愿透露個(gè)別客戶(hù)產(chǎn)能配置；至于3nm試產(chǎn)時(shí)間，會(huì )在后續的法人說(shuō)明會(huì )上對外進(jìn)行說(shuō)明。

消息傳出后迅速引發(fā)業(yè)界關(guān)注，不過(guò)，臺積電方面很快就否認了這一消息，表示包括5nm、3nm制程均照進(jìn)度進(jìn)行中，并未如外傳延后。

據中央社報道，受到疫情影響，市場(chǎng)近來(lái)多次傳出臺積電將延后先進(jìn)制程進(jìn)度，也恐因此調降今年資本支出，不過(guò)，臺積電在日前的法說(shuō)會(huì )上表示，即便肺炎疫情帶來(lái)不確定性，但看好未來(lái)幾年高效運算、5G需求，將持續布局先進(jìn)制程，重申今年資本支出金額維持不變、約150至160億美元。

據臺積電規劃，今年資本支出已有明確規劃，其中80%將用于3nm、5nm與 7nm等先進(jìn)制程技術(shù)，其余10%用于先進(jìn)封裝與光罩，另外10%用于特殊級制程技術(shù)。

據了解，臺積電3nm是5nm之后的下一代節點(diǎn)，官方信息顯示3nm工藝晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm²，而5nm工藝不過(guò)是1.8億/mm2，而3nm性能較5nm提升7%，能耗比提升15%。

在工藝上，臺積電評估多種選擇后認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會(huì )是FinFET晶體管技術(shù)。

先前市場(chǎng)亦有傳言稱(chēng)，臺積電晶圓18廠(chǎng)的五、六期因招標工程延后決標，將影響3nm制程進(jìn)度，當時(shí)臺積電回應，采購招標作業(yè)及3nm進(jìn)度均照計劃進(jìn)行中。

而近期在美國擴大封鎖華為下，再傳出臺積電決定延后5nm擴建，及3nm試產(chǎn)時(shí)程，將延后2季至明年第1季。對此，臺積電今日表示，包括5nm、3nm米制程，均照進(jìn)度進(jìn)行中，3nm將如期在2021年試產(chǎn)，并于2022年下半年量產(chǎn)。