DDR4若想稱(chēng)霸江湖，英特爾支持不可或缺

據IHS iSuppli公司的DRAM動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報，雖然DDR4將在今后幾年內得到更加廣泛的采用，但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領(lǐng)域獲得成功的關(guān)鍵變數。

 

考慮到2011年出貨量為零，今年出貨量預計只占總體DRAM領(lǐng)域的1.4%，DDR4在2014年以前不會(huì )達到很大的規模。但DDR4市場(chǎng)兩年后將迅速增長(cháng)，2014年市場(chǎng)份額將增至23.1%，超過(guò)目前占主導地位的DDR3。

 

2015年將繼續強勁增長(cháng)，屆時(shí)DDR4的市場(chǎng)份額將接近擴大一倍，達到44.2%。到2016年，DDR4將占據包括移動(dòng)DRAM在內的總體DRAM市場(chǎng)的一半以上，估計份額將達51.8%。

 

 

DDR4值得英特爾支持

DDR4的這種急劇增長(cháng)，假設前提是英特爾全力支持這種新型內存產(chǎn)品——沒(méi)有理由做出相反的假設。英特爾已經(jīng)宣布，其Haswell微架構將支持幾個(gè)中央處理單元(CPU)，包括Haswell-EP和Haswell-EX。IHS iSuppli公司認為，這兩種CPU產(chǎn)品2013年末或2014年初才會(huì )上市，但英特爾很可能在計算應用中采用DDR4，尤其是在其率先提出并積極推動(dòng)的Ultrabook平臺上面——這將幫助DDR4更快地占領(lǐng)市場(chǎng)。

 

這種策略將擴大DDR4的潛在市場(chǎng)。英特爾只是為上述應用生產(chǎn)含有DRAM的CPU，但不是專(zhuān)門(mén)含有DDR4或其它DRAM產(chǎn)品。支持向新型內存技術(shù)的過(guò)渡符合英特爾的利益，尤其是消費者渴望得到更快的存儲速度和更低的功耗，而這正是DDR4的兩項主要優(yōu)點(diǎn)。

 

DDR4初期將采用2133MHz的頻率，但帶寬將隨后提高到2667MHz、3200MHz和4267MHz。這與DDR3相比是一種漸進(jìn)性的改善。DDR3的最高帶寬可達2133MHz。

 

1.2V的較低工作電壓，也使得DDR4的功耗比1.5V的DDR3減少大約35%。DDR4的工作電壓可能降到更低，也許會(huì )低到1.0V，從而可以更加省電。

 

即便如此，DDR4能否取得全面成功還要看英特爾的態(tài)度。如果英特爾因某種原因決定其CPU減少對DDR4的支持，則DDR4很可能步履維艱或者達不到目前所期望的市場(chǎng)規模。確實(shí)，這種情形不可想像，但在DRAM市場(chǎng)仍然由DDR3統治的情況下，不能不考慮這種可能性。

市場(chǎng)放量還需三步走

 

目前DDR4正在躍躍欲試，準備在兩年內得到更多的采納。但在此之前，仍有許多工作要做。

 

首先，該技術(shù)的最終規格必須得到標準組織JEDEC的批準，然后DRAM廠(chǎng)商才能在硅片上進(jìn)行設計。盡管三星電子、SK Hynix Semiconductor和美光等內存供應商已經(jīng)宣布了DDR4產(chǎn)品，但仍須完成上述程序。

 

其次，CPU廠(chǎng)商——主要是英特爾，需要確保其擁有合適的芯片架構和內存控制器，才能使用DDR4。目前尚不清楚，英特爾打算如何安排其目前的DDR3 CPU產(chǎn)品向DDR4過(guò)渡，比如Westmere、Sandy Bridge和Ivy Bridge。但是，英特爾的CPU開(kāi)發(fā)周期目前處于縮小尺寸階段，顯示其縮小了現有微架構的光刻尺寸。

 

最后，其它內存廠(chǎng)商必須在光刻方面實(shí)現足夠大的進(jìn)步，才能滿(mǎn)足DDR4的設計參數。幸運的是，每個(gè)DRAM開(kāi)發(fā)者都已在采用30納米工藝，這是生產(chǎn)1.2V DDR4所要求的節點(diǎn)水平。這意味著(zhù)內存產(chǎn)業(yè)現在已達到DDR4的光刻要求，已經(jīng)具備生產(chǎn)市場(chǎng)所渴望的這種新技術(shù)的工藝水平。

 

*Mike Howard是IHS公司的DRAM與存儲資深首席分析師。