受多重因素影響，第三季DRAM內存價(jià)格仍將下跌

上半年行動(dòng)存儲器市場(chǎng)拉貨動(dòng)能遲滯，供應端的高庫存尚未去化完畢，即便受日韓原料出口管控事件的影響，市場(chǎng)開(kāi)始出現價(jià)格反轉的聲浪，但依舊難敵庫存去化的壓力。

加上部分內存（DRAM）廠(chǎng)雖宣稱(chēng)啟動(dòng)減產(chǎn)計劃，但實(shí)際規模普遍不大，多是舊制程減產(chǎn)或是制程轉換產(chǎn)生的晶圓減少居多，主流產(chǎn)品未到虧損階段前，內存（DRAM）廠(chǎng)的大規模減產(chǎn)機率不高，雖然現貨市場(chǎng)價(jià)格略有波動(dòng)，但整體合約價(jià)格依舊維持跌價(jià)走勢。

集邦咨詢(xún)指出，受到市場(chǎng)上諸多不利報價(jià)的訊息干擾，第三季行動(dòng)存儲器合約價(jià)格直到7月下旬才大致確定，在原廠(chǎng)庫存水位普遍偏高的狀態(tài)下，本季合約價(jià)跌幅依舊較大，主流規格無(wú)論是分離式(discrete)或是eMCP/uMCP產(chǎn)品價(jià)格跌幅多集中在10%-15%的區間。

另外值得關(guān)注的是，行動(dòng)存儲器多以季度方式議價(jià)，亦顯示原廠(chǎng)對于客戶(hù)整季出貨的允諾，因此研判目前受日韓原料出口管控事件因素影響范圍有限，后續供貨暫無(wú)太大問(wèn)題。

觀(guān)察今年第四季行動(dòng)存儲器價(jià)格走勢，品牌廠(chǎng)為應對中國農歷新年的返鄉缺工潮，將提前生產(chǎn)明年1月的市場(chǎng)需求，預估第四季智能手機生產(chǎn)總量將持平第三季，約3.6億支；平均容量方面，受惠行動(dòng)存儲器均價(jià)下跌，刺激品牌廠(chǎng)提高單機存儲器搭載容量，有助于加速原廠(chǎng)庫存去化。

另一方面，從今年第一季以來(lái)，連續三個(gè)季度價(jià)格平均下滑10%-15%，使得第三季行動(dòng)存儲器均價(jià)比2016年起漲點(diǎn)時(shí)的價(jià)格低17%，已經(jīng)挑戰三大原廠(chǎng)對于總成本(fully-loaded cost)的控管極限，預估第四季的跌價(jià)幅度將較前三季度收斂，但下跌趨勢不變。

隨著(zhù)制程轉進(jìn)，行動(dòng)存儲器產(chǎn)品的世代也持續推出傳輸速率更快以及功耗更優(yōu)化的產(chǎn)品。

以今年來(lái)看，受惠中低階芯片亦能支援LPDDR4系列，推升LPDDR4的市占將擴大至75%，加上原廠(chǎng)對于LPDDR3的供給轉趨被動(dòng)，將加速LPDDR3的占比勢微，預估2020年LPDDR3的單位位元市占將低于15%。

明年雖有新世代LPDDR5搭配旗艦機種問(wèn)市，但考量初期與LPDDR4系列仍有20%-25%價(jià)差，整機制造成本也高于LPDDR4系列，預估滲透率將低于10%,市場(chǎng)主流仍以L(fǎng)PDDR4系列為主。