日韓貿易戰和東芝跳電，或將影響內存價(jià)格上漲

集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向韓國出口3種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠(chǎng)出現提高報價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長(cháng)，短期結構性供需反轉的可能性低。

日韓貿易戰的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉，集邦咨詢(xún)分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續三個(gè)季度快速下滑，下游模組廠(chǎng)的庫存水位普遍偏低，也因此當前確實(shí)有觀(guān)察到部分模組廠(chǎng)利用該原物料事件而開(kāi)出上揚的價(jià)格或表示將停止生產(chǎn)。

然而，目前現貨市場(chǎng)占整體DRAM市場(chǎng)僅不到10%水平，中長(cháng)期產(chǎn)業(yè)的供需態(tài)勢仍需關(guān)注占比超過(guò)9成的合約市場(chǎng)為主。

從需求面來(lái)看，不論零售端的PC、智能手機，或是企業(yè)用服務(wù)器與數據中心建置，目前整體終端需求仍呈現十分疲弱的態(tài)勢。

然而，反觀(guān)供給端目前DRAM供應商的庫存水平仍普遍高于3個(gè)月，也導致PC、服務(wù)器內存及行動(dòng)式內存的合約價(jià)在第三季初仍舊持續走跌，暫時(shí)未看見(jiàn)反轉向上的跡象。集邦咨詢(xún)認為，DRAM市況受此原物料事件而出現結構性供需反轉的可能性低。

NAND Flash市場(chǎng)行情則受到日本材料出口審查趨嚴，以及東芝停電事件的影響。由于Wafer市場(chǎng)報價(jià)已經(jīng)偏低，預計七月起各供應商報價(jià)將浮現漲勢。然而，由于供應商普遍備有2-3個(gè)月的庫存水位，多數模組廠(chǎng)不會(huì )第一時(shí)間接受漲價(jià)，后續則需視市場(chǎng)及供應端庫存狀況決定交易價(jià)是否上漲。

至于對OEM的各類(lèi)SSD、eMMC/UFS產(chǎn)品報價(jià)方面，目前雖有部分供應商暫停出貨，但從供需狀況分析，并考量OEM端的庫存水位，集邦咨詢(xún)認為，雖然NAND Flash價(jià)格短期將出現上揚，但長(cháng)期仍有跌價(jià)壓力。