以三星為榜樣，內存廠(chǎng)商弄潮晶圓代工市場(chǎng)

全球內存DRAM、NAND Flash等持續有產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題，內存廠(chǎng)現在紛紛轉型至晶圓代工領(lǐng)域，除了三星電子(Samsung Electronics)在蘋(píng)果(Apple)訂單加持下，打響晶圓代工名聲外，像海力士(Hynix)、臺系內存廠(chǎng)力晶也都增加晶圓代工業(yè)務(wù)比重，多數從LCD驅動(dòng)IC、CMOS Image Sensor和電源管理芯片(PMIC)切入，未來(lái)多元化發(fā)展會(huì )是半導體廠(chǎng)的趨勢。

 

三星為蘋(píng)果代工A5處理器是其晶圓代工業(yè)務(wù)的轉折點(diǎn)，光是一家客戶(hù)就讓三星吃下大補丸。目前三星是以45納米和32納米制程生產(chǎn)A5處理器，下一代A6處理器是否轉單臺積電傳言不斷，但以三星在系統產(chǎn)品上勢力越來(lái)越龐大，未來(lái)蘋(píng)果分散代工來(lái)源的策略不意外。

 

三星開(kāi)始側重非內存產(chǎn)品，不斷擴大非內存產(chǎn)品的產(chǎn)能，其中位于韓國器興的S1生產(chǎn)線(xiàn)和美國奧斯汀S2的生產(chǎn)線(xiàn)都轉為生產(chǎn)系統芯片。

 

海力士面臨美光(Micron)吃下?tīng)柋剡_(Elpida)后，全球DRAM市占率躍升超過(guò)20%，嚴重威脅海力士二哥地位，現階段的海力士除了要力守全球DRAM市占率、強化有些落后的NAND Flash新制程良率外，也對晶圓代工領(lǐng)域磨刀霍霍，顯示多方面發(fā)展的決心。