傳英特爾第一代64層QLC閃存良率只有48%

d本月初Intel發(fā)布了首款消費級QLC固態(tài)硬盤(pán)——660p，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，不過(guò)近日有消息稱(chēng)，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%。

Intel“SSD 660p”的定位將介乎在600p及700p之間，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，提供512 GB，1 TB，2 TB容量可供選擇。SSD 660p專(zhuān)用PCI Express 3.0 x4而設計，采用M.2 2280規格，讀取傳輸速度高達1800 MB / s，寫(xiě)入的傳輸速度為1100 MB / s，4k隨機讀取和寫(xiě)入為150,000 IOPS。

660P搭載了慧榮SMI2263主控，帶有DRAM緩存，主控是慧榮SMI2262EN的工藝改良版，并且由Intel自主編寫(xiě)固件。采用來(lái)自Intel和美光合資的IMFlash工廠(chǎng)的4bit QLC閃存。

Intel 660P采用M.2 NVMe接口，支持PCIe 3.0 x4通道，Intel官方給出的數據顯示，性能上達到主流M.2 NVMe的水準，最高連續讀寫(xiě)速度可達1800MB/s。

同時(shí)，價(jià)格相當給力，512GB賣(mài)99.99美元(約合683元)。

與TLC相比，QLC NAND Flash的儲存容量將可增加33%，單顆晶片最高可達到256GB或512GB，P / E循環(huán)約為1000次左右略低于TLC，在壽命，速度及穩定性方面QLC雖然比TLC更低，但就勝在容量更大及擁有更便宜的成本。

不過(guò)有消息稱(chēng)，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%，也就是生產(chǎn)出來(lái)的成片過(guò)半報廢。對比之下，64層TLC閃存的良率已經(jīng)達到了90%以上。

這意味著(zhù)，4bit QLC看似容量密度提高了，但實(shí)際成本是高于3bit TLC的。

更糟糕的是，消息人士稱(chēng)，Intel第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個(gè)生命期。

此外英特爾還準備了SSD 760p系列，M.2 2280規格，64層TLC NAND閃存，提供128GB，256GB，512GB，1TB，2TB容量，性能更高一個(gè)檔次，持續讀寫(xiě)可達3.2GB / s， 1.6GB / s，隨機讀寫(xiě)可達35萬(wàn)IOPS，28萬(wàn)IOPS，并支持AES-256硬件加密，5年產(chǎn)品保固。其中128GB至1TB今年12月份發(fā)布。

英特爾和美光除了推出64層QLC提高技術(shù)優(yōu)勢，還曾表示第三代3D NAND技術(shù)（96層）的開(kāi)發(fā)將于2018年年底或2019年初交付。