根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，去年下半年智能手機的新機發(fā)布并未如預期帶來(lái)?yè)Q機效應，因此自去年第四季中開(kāi)始，市場(chǎng)提早進(jìn)入傳統淡季。品牌廠(chǎng)在歷經(jīng)3個(gè)月的庫存水位調節后，于今年二月底才見(jiàn)市場(chǎng)需求轉旺，并重啟拉貨動(dòng)能，其中又以旗艦新機需求的大容量?jì)却婢佣?。整體而言，第一季受到智能手機市場(chǎng)回溫、新機發(fā)表，以及行動(dòng)式內存平均單價(jià)上漲的影響，全球行動(dòng)式內存產(chǎn)值來(lái)到84.35億美元，較去年第四季提升約5.3%，一反以往第一季營(yíng)收衰退的軌跡，再度刷新歷史記錄。

展望第二季行動(dòng)式內存產(chǎn)值表現，盡管合約價(jià)格漲幅趨緩，但受惠中國四大品牌華為、小米、OPPO、vivo的需求持續看旺，以及Android陣營(yíng)、蘋(píng)果陣營(yíng)旗艦新機主流搭載容量上升的影響，預估第二季行動(dòng)式內存總產(chǎn)值仍有機會(huì )較第一季成長(cháng)。

DRAMeXchange指出，以個(gè)別供貨商的營(yíng)收表現來(lái)看，三星作為全球第一大的DRAM供貨商，最先受到中國發(fā)改委的關(guān)注，第一季及第二季的報價(jià)都因而較過(guò)去幾季收斂。行動(dòng)式內存報價(jià)上的受限讓三星另謀出路，透過(guò)積極營(yíng)銷(xiāo)大容量?jì)却娌⑶医Y合自家先進(jìn)納米制程技術(shù)，成功取得多數的大容量訂單，交出第一季營(yíng)收47.66億美元的亮眼成績(jì)，鰲占市場(chǎng)龍頭寶座。制程進(jìn)度上，三星的行動(dòng)式內存幾乎已全采18nm制程，僅少數LPDDR3 eMCP組合還有微量供應20nm產(chǎn)品。

SK海力士雖受惠第一季合約價(jià)格的上揚，但在新制程18nm初期良率不穩、產(chǎn)能不足的影響下，無(wú)法擴大旗艦機種用LPDDR4系列大容量DRAM的交付數量，第一季營(yíng)收僅季增2.2%。在行動(dòng)內存的產(chǎn)品規劃方面，目前SK海士力仍以21nm的LPDDR4系列以及25nm微縮制程的LPDDR3供給為主，預估18nm產(chǎn)品(包含分離式以及eMCP)要到第三季才會(huì )普及，全年新制程滲透率恐低于10%。

美光集團第一季行動(dòng)式內存營(yíng)收達14.08億美元，較上一季成長(cháng)10.2%，成長(cháng)幅度居三大主流供貨商之冠，主要歸功于整體需求不減、價(jià)格上揚。在行動(dòng)式內存制程技術(shù)方面，臺灣美光內存(原瑞晶)第二季產(chǎn)品規劃仍以提高17nm制程比重為主，而在臺灣美光晶圓科技(原華亞科)目前仍以20nm為主。其行動(dòng)式內存產(chǎn)品規劃也改以L(fǎng)PDDR4系列為主流產(chǎn)品，預估全年占比將過(guò)半。

臺系廠(chǎng)商部分，南亞科受惠IDH廠(chǎng)因成本(BOM cost)考慮改采分離式(discrete DRAM+discrete Flash)取代eMCP，帶動(dòng)LPDDR3 4Gb出貨增加，營(yíng)收達9,600萬(wàn)美元，較上一季成長(cháng)19.1%。其行動(dòng)式內存制程技術(shù)目前仍以30nm微縮制程為主，未來(lái)南亞科將持續提高20nm占比，以增加獲利空間。華邦第一季由于產(chǎn)品應用范圍較小，需求起伏不大，第一季營(yíng)收為4,400萬(wàn)美元，較上一季成長(cháng)1.2%，表現平穩。