GF 28nm工藝明年正式量產(chǎn)，14nm導入FinFET技術(shù)

Globalfoundries 高級技術(shù)架構辦公室主管Kengeri日前在Computex上就Globalfoundries在28nm Gate-first HKMG制程工藝及EUV光刻技術(shù)方面的進(jìn)展和未來(lái)計劃做了演示說(shuō)明。Kengeri表示，Globalfoundries的gate-first工藝能夠提供足夠的晶體管門(mén)限電壓調整空間，其可調范圍超過(guò)了300mV，完全可以滿(mǎn)足產(chǎn)品的需求。他同時(shí)還宣稱(chēng)公司在使用Gate-first工藝時(shí)并沒(méi)有出現由于費米栓現象而導致的門(mén)限電壓失控問(wèn)題。另外他還指出Globalfoundries的gate-first工藝應對LVT（低門(mén)限電壓）/SLVT（超低門(mén)限電壓）產(chǎn)品時(shí)的性能是很穩定的。

 

在他看來(lái)， Globalfoundries在28nm節點(diǎn)選擇gate-first工藝主要有兩個(gè)因素，首先是gate-first工藝生產(chǎn)的芯片相比40nm產(chǎn)品而言尺寸微縮程度更高，他表示升級到28nm節點(diǎn)后晶體管的速度提升了50%，而每次開(kāi)關(guān)時(shí)的能耗則減小了50%。另外一個(gè)因素是gate-first工藝可以基本保持原有的40nm產(chǎn)品的布線(xiàn)設計，而且28nm節點(diǎn)上gate-first工藝制造的晶體管在體積上也比gate-last工藝要小10-20%左右。Kengeri的這番話(huà)顯然和前不久前臺積電北美副總裁的說(shuō)法形成了鮮明的對比，臺積電方面宣布準備在28nm制程節點(diǎn)啟用gate-last HKMG工藝。

 

因為把持著(zhù)FinFET技術(shù)的77%專(zhuān)利，GlobalFoundries聲稱(chēng)其所在的聯(lián)盟已經(jīng)占據了市場(chǎng)的領(lǐng)導權，而英特爾只能是追趕該聯(lián)盟的角色。Kengeri說(shuō)到，77%的FinFET技術(shù)專(zhuān)利是由GlobalFoundries、IBM、三星通用平臺聯(lián)盟共同擁有，英特爾無(wú)疑已經(jīng)實(shí)現了FinFET技術(shù)，但是通用平臺聯(lián)盟中的企業(yè)已經(jīng)在FinFET技術(shù)的研究上努力了十余年，并且已經(jīng)掌握了其中77%的專(zhuān)利權，這將在專(zhuān)利紛爭不斷的今天占得的先機，而GlobalFoundries也會(huì )在14nm制程上開(kāi)始采用FinFET技術(shù)。顯然GlobalFoundries也已經(jīng)走上了FinFET之路，而臺積電仍舊沒(méi)有任何這方面的計劃宣布，“業(yè)界對臺積電的制造技術(shù)由此產(chǎn)生了巨大的懷疑。”他稱(chēng)。

 

Kengeri同時(shí)透露：“我們的28nm制程將以高性能和低功耗為目標，今年底前我們會(huì )完成相關(guān)產(chǎn)品的流片設計，明年初則會(huì )開(kāi)始試產(chǎn)。雖然實(shí)際產(chǎn)品的上市時(shí)間可能因客戶(hù)而異，但我們預計明年上半年會(huì )有我們的28nm產(chǎn)品上市。”Globalfoundries公司的28nm制程工藝將分為三種類(lèi)型：28nm HPP（高性能）型：這種工藝主要為性能進(jìn)行優(yōu)化，非常適合顯卡芯片，游戲機芯片，存儲芯片，網(wǎng)絡(luò )芯片以及多媒體編碼器芯片等產(chǎn)品使用；28nm-SLP(超低功耗)型：這種工藝更為重視功耗指數，非常適合無(wú)線(xiàn)移動(dòng)設備如各類(lèi)應用處理器，基帶芯片，手機芯片等對省電性能要求較高的應用；28nm-LPH（低功耗高性能）型：這種工藝主要適合高端的移動(dòng)計算芯片，比如雙核與四核的高頻應用處理器。據悉28nm-SLP制程將用于制造基于A(yíng)RM架構的SOC芯片產(chǎn)品，而28nm-HPP制程的適用對像則無(wú)疑是AMD的顯卡芯片，此前我們已經(jīng)知道AMD會(huì )使用Globalfoundries的28nm制程工藝制作其下一代顯卡芯片產(chǎn)品。

 

GlobalFoundries的產(chǎn)能已經(jīng)每月超過(guò)20萬(wàn)片12英寸晶圓，并且已經(jīng)滿(mǎn)足了其所有的32nm晶圓的訂單需求。在過(guò)去一個(gè)月中，GlobalFoundries在Dresden生產(chǎn)了8萬(wàn)片晶圓，在新加坡生產(chǎn)了5萬(wàn)片，而在紐約州的晶圓廠(chǎng)將會(huì )每月生產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓。 從收入角度看，超過(guò)80%的收入來(lái)自于65nm及以下工藝，對比競爭對手聯(lián)電，這個(gè)比例要高很多。

 

另外，Kengeri還透露Globalfoundries會(huì )緊抓三個(gè)技術(shù)發(fā)展方向：先進(jìn)光刻技術(shù)，材料（新材料及其整合）以及芯片3D封裝技術(shù)。他表示Globalfoundries公司在14nm制程節點(diǎn)可能會(huì )啟用EUV光刻技術(shù)投入生產(chǎn)。不過(guò)他表示按照公司原來(lái)的計劃，并沒(méi)有準備在14nm制程節點(diǎn)啟用EUV技術(shù)，浸沒(méi)式光刻技術(shù)應該就可以滿(mǎn)足其要求，不過(guò)公司將EUV技術(shù)視為降成本的重要手段，而且提前使用EUV還可以為公司積累有關(guān)的生產(chǎn)經(jīng)驗，這樣到10nm節點(diǎn)以下必須啟用EUV技術(shù)時(shí)便可以有充分準備。