據 Digitimes 最新消息，三星位于 Pyeongtaek平澤的NAND Flash晶圓廠(chǎng)在3月9日出現停電事故，停電時(shí)間持續半小時(shí)。市場(chǎng)觀(guān)察人士稱(chēng)，三星平澤NAND廠(chǎng)一層樓一個(gè)月約有9萬(wàn)片產(chǎn)出，在三星NAND Flash晶圓廠(chǎng)半小時(shí)停電期間，大約5000-6000片晶圓被損壞，3月份受損的晶圓相當于三星整體NAND Flash產(chǎn)量的11%左右，TechNews 預計損失相當于3月份的全球供應的3.5%左右。

三星方面則表示，雖然NAND Flash晶圓廠(chǎng)停電約半小時(shí)，但備用電源(設計為20分鐘)的有效啟動(dòng)應對了突發(fā)狀況，所以不會(huì )對NAND Flash運營(yíng)造成顯著(zhù)影響。

DRAMeXchange數據顯示，NAND Flash市場(chǎng)在2018年第一季度出現了輕微的供過(guò)于求的局面，這是因為去年缺口明顯時(shí)，主要NAND Flash晶圓廠(chǎng)均加碼提升產(chǎn)能和良率，同時(shí)主要供貨商亦提高3D NAND Flash的產(chǎn)量，加上終端市場(chǎng)需求增長(cháng)因季節性因素而放緩，NAND合約定價(jià)保持平穩或略有下降。

至于受三星停電事故的影響，行業(yè)消息人士稱(chēng)這一事件或能在未來(lái)幾周影響整體市場(chǎng)供應和價(jià)格。但其實(shí)目前NAND市場(chǎng)依舊處于小幅度的供給過(guò)剩，加上三星本身有足夠庫存可以支應，所以即使發(fā)生短時(shí)間跳電事件，業(yè)界普遍認為對于近期市場(chǎng)供需影響不會(huì )很明顯。

另一方面，自去年底開(kāi)始出現的NAND供給過(guò)剩問(wèn)題，市場(chǎng)通路端歷經(jīng)超過(guò)一季的庫存去化之后，現階段通路庫存水位已經(jīng)明顯偏低，加上市場(chǎng)需求有緩步回溫跡象，為此，內存業(yè)者提到，原先第三季才有可能出現的供不應求壓力，有機會(huì )慢慢在今年5月或是6月間就看得到。