根據SEMI世界晶圓廠(chǎng)預測報告（ World Fab Forecast）的最新更新顯示，晶圓廠(chǎng)設備支出將在2019年增長(cháng)5％，也是連續第四年增長(cháng)。按正常計劃，預計中國將成為2018年和2019年晶圓廠(chǎng)設備支出增長(cháng)的主要驅動(dòng)因素(見(jiàn)下圖)。自20世紀90年代中期以來(lái)，這個(gè)行業(yè)連續三年沒(méi)有增長(cháng)。

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SEMI預測三星將在2018年和2019年引領(lǐng)晶圓廠(chǎng)設備支出，但三星每年投資較2017年下降。相比之下，中國將在2018年大幅增加晶圓設備支出達57％，2019年達到60％，主要體現在跨國公司和國內公司的晶圓廠(chǎng)項目。中國支出的飆升預計將在2019年超過(guò)韓國成為首要支出地區。

在2017年創(chuàng )紀錄的投資后，2018年韓國晶圓廠(chǎng)設備支出將下降9％至180億美元，2019年將增加14％至160億美元。然而，這兩年將超過(guò)該地區2017年前的支出水平。 2018年第三大晶圓廠(chǎng)投資地區臺灣晶圓廠(chǎng)設備支出將下降10％至約100億美元，但預計2019年反彈15％至110億美元以上。（有關(guān)其他地區消費趨勢的詳情可在SEMI最新的World Fab Forecast中找到。）

正如預期的那樣，隨著(zhù)項目轉向周期內早期建造的設備工廠(chǎng)，中國的晶圓廠(chǎng)設備支出正在增加。 2017年在中國開(kāi)始建設的26座工廠(chǎng)將于今年和明年開(kāi)始裝機。見(jiàn)下圖。

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非中國公司在中國的晶圓設備投資中占有最大份額。不過(guò)，中國企業(yè)預計2019年將增加晶圓廠(chǎng)，將其在中國的支出份額從2017年的33％增加到2019年的45％。

產(chǎn)品領(lǐng)域支出

3D NAND將帶動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域支出，在2018年和2019年各增長(cháng)3％，分別達到160億美元和170億美元。 DRAM在2018年將強勁增長(cháng)26％，達到140億美元，但預計2019年將下降14％至120億美元。代工廠(chǎng)將在2018年將設備支出增加2％至170億美元，2019年將增長(cháng)26％到220億美元，主要用于支持7納米投資和新產(chǎn)能的增長(cháng)。