英特爾日前在官網(wǎng)宣布，與美光的閃存合作即將發(fā)生關(guān)鍵性變化，具體內容則是雙方將會(huì )在2018年繼續研究第三代3D NAND的研發(fā)與生產(chǎn)，并且將持續到2019年年初，在此之后雙方將不再合作。

目前，英特爾和美光正在進(jìn)行第二代64層3D閃存的增產(chǎn)工作，所以近期內不會(huì )出現太多的合作變動(dòng)。

兩家公司已經(jīng)同意在這一技術(shù)節點(diǎn)之后，雙方將獨立開(kāi)發(fā)3D NAND，以便更好地為各自的業(yè)務(wù)需求優(yōu)化技術(shù)和產(chǎn)品。

Intel強調，這次“分手”是雙方同意的，獨立之后二者將能抽出更多精力優(yōu)化自身產(chǎn)品并提供更好的服務(wù)給客戶(hù)，分開(kāi)之后不會(huì )對路線(xiàn)圖和技術(shù)節點(diǎn)造成影響。

“英特爾和美光科技建立了成功的長(cháng)期合作關(guān)系，令雙方受益匪淺?，F在，NAND 開(kāi)發(fā)合作關(guān)系已經(jīng)發(fā)展到了適當階段，是時(shí)候讓兩家公司致力于各自專(zhuān)注的市場(chǎng)。”英特爾非易失性存儲解決方案部門(mén)高級副總裁兼總經(jīng)理 Rob Crooke 說(shuō)，“我們的 3D NAND 和 Optane 技術(shù)路線(xiàn)圖為客戶(hù)應對當下的眾多計算和存儲需求提供了強大的解決方案。”

“美光與英特爾的合作由來(lái)已久，我們期待在未來(lái)各自進(jìn)行 NAND 開(kāi)發(fā)的同時(shí)繼續就其他項目與英特爾合作。”美光科技技術(shù)開(kāi)發(fā)執行副總裁 Scott DeBoer 說(shuō)，“我們3D NAND 技術(shù)的開(kāi)發(fā)路線(xiàn)圖非常穩固，計劃在我們業(yè)界領(lǐng)先的 3D NAND 技術(shù)基礎上，將極具競爭力的產(chǎn)品推向市場(chǎng)。”

Intel和鎂光的合作可以追溯到2005年。當時(shí)雙方成立了合資企業(yè)IM Flash Technologies（IMFT），孕育的首批產(chǎn)品是72nm NAND。2012年，Intel把多數IMFT工廠(chǎng)的股份賣(mài)給了美光，只保留Lehi這一個(gè)據點(diǎn)。

此后，雙方就開(kāi)始各自興建自己的生產(chǎn)線(xiàn)，開(kāi)始生產(chǎn)一些自家品牌的存儲產(chǎn)品。美光獨自建立Fab工廠(chǎng)生產(chǎn)NAND Flash，并提供NAND Flash給英特爾，研發(fā)工作仍然是兩家聚集在Lehi工廠(chǎng)共同進(jìn)行。

另外，英特爾和美光兩家公司將繼續共同運營(yíng)猶他州的Lehi工廠(chǎng)，該工廠(chǎng)主要是負責3D XPoint的研發(fā)與生產(chǎn)，所以即使雙方停止了3D NAND的合作，也不會(huì )影響3D XPoint技術(shù)的發(fā)展和制造。

據AnandTech分析，Intel和美光的市場(chǎng)屬性不同，Intel只愿意將美光提供的閃存給自己的SSD用，而美光則急于參與全球競爭，想把閃存賣(mài)給更多客戶(hù)，尤其是手機廠(chǎng)商，這或許是“分手”的主要原因。

AnandTech猜測，也可能是 NAND 堆疊層數破百之后，需要調整 String Stacking 的堆疊方式，兩家公司對此看法不同，因而分手。

另一個(gè)可能是，目前 3D NAND 的生產(chǎn)主流是電荷儲存式（Charge trap） ，三星電子等都采用此一方式，英特爾／美光是唯一采用浮閘（floating gate）架構的業(yè)者。也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構，但是此舉等于坦承失敗，代表從2D NAND 轉換成 3D NAND 后，續用浮閘是錯誤決定，因而鬧翻。

對普通消費者來(lái)說(shuō)，這次“分手”具有很多積極的意義。內存市場(chǎng)今后產(chǎn)品更拓寬，新的技術(shù)也應該會(huì )更快推出，多頭競爭應使內存的價(jià)格更趨于合理。