集邦咨詢(xún)指出，中國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，盡管早期如紫光集團與美光洽談技術(shù)合作無(wú)疾而終，或是并購相關(guān)技術(shù)母廠(chǎng)多失敗收場(chǎng)，但中國積極吸收專(zhuān)業(yè)人才，無(wú)論是臺灣地區的建廠(chǎng)人才，或是日韓的技術(shù)人才皆為中國半導體廠(chǎng)目標，并且從技術(shù)授權轉為自主研發(fā)，處處可見(jiàn)中國進(jìn)軍存儲器產(chǎn)業(yè)的強烈決心。

兩大陣營(yíng)搶布局DRAM，分別從利基型內存與行動(dòng)式內存切入

從存儲器產(chǎn)品中的DRAM產(chǎn)業(yè)來(lái)看，中國在發(fā)展策略上已有逐步收斂之勢，并非雜亂無(wú)章。以技術(shù)布局的角度觀(guān)察，中國DRAM領(lǐng)域中除了繪圖用內存未有廠(chǎng)商布局，其他都有廠(chǎng)商按照計劃發(fā)展中。

中國DRAM產(chǎn)業(yè)目前已有福建晉華、合肥長(cháng)鑫兩大陣營(yíng)。福建晉華專(zhuān)注利基型內存的開(kāi)發(fā)，主攻消費型電子市場(chǎng)，有望憑借著(zhù)中國本有的龐大內需市場(chǎng)壯大自身產(chǎn)能，甚至在補貼政策下，預估最快2018年底可能將影響國際大廠(chǎng)在中國市場(chǎng)的銷(xiāo)售策略，并且有機會(huì )取得技術(shù)IP走向國際市場(chǎng)。

相較于福建晉華避開(kāi)國際大廠(chǎng)的主力產(chǎn)品，合肥長(cháng)鑫直搗國際大廠(chǎng)最核心的行動(dòng)式內存產(chǎn)品。行動(dòng)式內存已是內存類(lèi)別中占比最高的產(chǎn)品，其省電技術(shù)要求極高，開(kāi)發(fā)難度相當高。然而，中國品牌手機出貨已占全球逾四成，倘若LPDDR4能順利量產(chǎn)并配合補貼政策，中國政府進(jìn)口取代的策略即可完成部分階段性任務(wù)。

NAND Flash以長(cháng)江存儲布局最速，初期產(chǎn)品仍鎖定低端產(chǎn)品

觀(guān)察中國在NAND Flash領(lǐng)域的發(fā)展，以紫光集團旗下的長(cháng)江存儲為中國最快成軍的開(kāi)發(fā)廠(chǎng)商，初期也將以中國內需市場(chǎng)的布局為主。由于長(cháng)江存儲開(kāi)發(fā)早期技術(shù)力不足，難以與一線(xiàn)大廠(chǎng)相抗衡，預估其初期產(chǎn)品會(huì )以卡碟類(lèi)為大宗。隨著(zhù)長(cháng)江存儲技術(shù)發(fā)展來(lái)到64/96層才有機會(huì )進(jìn)軍SSD市場(chǎng)，但此市場(chǎng)技術(shù)競爭相當激烈，沒(méi)有中國政府的支持，短期會(huì )難以在成本上取得優(yōu)勢，利用中國內需市場(chǎng)壯大自己將是紫光集團未來(lái)可行的策略。

而武漢新芯隨著(zhù)長(cháng)江存儲的成立后，將專(zhuān)注于NOR Flash的開(kāi)發(fā)，雖然長(cháng)江存儲的NAND Flash試產(chǎn)線(xiàn)暫放在武漢新芯，但隨著(zhù)長(cháng)江存儲于武漢未來(lái)城基地建構完成后，未來(lái)也將各自獨立。

集邦咨詢(xún)指出，以目前現況來(lái)看，中國發(fā)展存儲器的策略能否成功，未來(lái)的3~5年將是極其重要的關(guān)鍵期，特別是強化IP的布局，中國政府以及廠(chǎng)商未來(lái)必須憑借內需市場(chǎng)、優(yōu)秀的開(kāi)發(fā)能力，以及具國際水平的產(chǎn)能，取得與國際廠(chǎng)商最有利的談判籌碼，才有機會(huì )立足全球并占有一席之地。

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