三星平澤工廠(chǎng)是一棟兩層建筑，一樓和二樓每月wafer產(chǎn)能分別為10萬(wàn)片和20萬(wàn)片，二樓的投資規模將大于一樓。三星平澤廠(chǎng)一樓之所以比二樓的生產(chǎn)能力小，是因為它的一些空間被用于辦公室和自助餐廳。

二樓分為西區和東區，各自保證每個(gè)月10萬(wàn)片wafer產(chǎn)能。二樓第一階段投資是西區，二期投資為東區。三星預計西區將按照每月7萬(wàn)片3D NAND和3萬(wàn)片DRAM的產(chǎn)能比例來(lái)配置生產(chǎn)設備，東區則按照每月10萬(wàn)片DRAM產(chǎn)能來(lái)配置生產(chǎn)設備。

三星的平澤廠(chǎng)是自2015年破土動(dòng)工，現已開(kāi)始在平澤廠(chǎng)采用最先進(jìn)的64層3D NAND技術(shù)生產(chǎn)NAND Flash，也曾在7月份稱(chēng)計劃在2021年之前，總共投資30兆韓元（約合276億美元），用于平澤廠(chǎng)擴大生產(chǎn)制造能力。

三星平澤廠(chǎng)將成為韓國最大的單一工廠(chǎng)，若三星全面實(shí)現生產(chǎn)，將讓存儲市場(chǎng)供應過(guò)剩成為現實(shí)，價(jià)格行情也將由漲轉跌。

三星工廠(chǎng)相關(guān)人員表示：“我們已經(jīng)拿到了預期的訂單，預計未來(lái)訂單會(huì )源源不斷地到來(lái)。”盡管三星電子還沒(méi)有訂購生產(chǎn)DRAM所需設備，但是很可能很快將采取行動(dòng)。

不過(guò)，三星的某位代表也表示：“投資的速度也很重要。設備行業(yè)預測，2018年年底或2019年上半年半導體設備的投資將達到20萬(wàn)臺。存儲產(chǎn)品的價(jià)格的走向將取決于三星的投資速度。如果三星根據市場(chǎng)需求調整投資速度，預計對存儲市場(chǎng)不會(huì )產(chǎn)生太大的影響。”

報道稱(chēng)，三星的西安廠(chǎng)可能也會(huì )投資增產(chǎn)（應為 NAND Flash），料于 2018 年底或 2019 年啟動(dòng)。

此外，ETNews也曾在11月初時(shí)報道，三星電子正在改裝韓國華城工廠(chǎng)16號線(xiàn)，希望能進(jìn)一步擴大DRAM的生產(chǎn)，同時(shí)三星在韓國平澤的生產(chǎn)線(xiàn)也將打造新產(chǎn)品線(xiàn)。

當時(shí)報道指出，三星計劃在明年下半年之后，華城工廠(chǎng)將全力進(jìn)入DRAM的生產(chǎn)，今年第三季全球DRAM產(chǎn)能為每月110萬(wàn)組，如果三星的這兩條生產(chǎn)線(xiàn)全力生產(chǎn)，那將會(huì )提升DRAM的供給20%。

而就在上周，韓媒Digital Times報導，三星電子即將在華城廠(chǎng)區17產(chǎn)線(xiàn)附近的停車(chē)場(chǎng)空地增建1條新的EUV專(zhuān)用產(chǎn)線(xiàn)，最快2017年12月就會(huì )動(dòng)工，預定2019年啟用,將利用初期10納米技術(shù)生產(chǎn)DRAM，開(kāi)業(yè)界先河。

由此看來(lái)，三星可能希望在產(chǎn)能和技術(shù)上均領(lǐng)先競爭對手，以期進(jìn)一步爭奪市場(chǎng)份額。