據韓媒Digital Times報導，三星電子即將在華城廠(chǎng)區17產(chǎn)線(xiàn)附近的停車(chē)場(chǎng)空地增建1條新的EUV專(zhuān)用產(chǎn)線(xiàn)，最快2017年12月就會(huì )動(dòng)工，預定2019年啟用,將利用初期10納米技術(shù)生產(chǎn)DRAM，開(kāi)業(yè)界先河。

韓國ETNews報道稱(chēng)，三星華城Line 17工廠(chǎng)預計投資在2.5萬(wàn)億到3萬(wàn)億韓元之間，約合22-26.4億美元，以300mm晶圓計算，擴建之后每月產(chǎn)能將提升3.5萬(wàn)片晶圓，目前的產(chǎn)能約為4萬(wàn)片晶圓/月。

三星華城廠(chǎng)區內有DRAM、NAND Flash、晶圓代工等多種半導體產(chǎn)線(xiàn)，目前三星還在研議是否將這條EUV產(chǎn)線(xiàn)與其余7條原本的半導體產(chǎn)線(xiàn)、輸送帶連接運行。

業(yè)界認為，三星除了要在晶圓代工使用EUV設備，也有意將EUV設備用在DRAM生產(chǎn)，2019年領(lǐng)先同業(yè)量產(chǎn)1znm制程DRAM。

三星增建產(chǎn)線(xiàn)會(huì )在當地帶來(lái)交通負荷，但最近華城市政府已通過(guò)交通影響環(huán)評審議，因此三星只需完成剩余的建廠(chǎng)申請行政流程，立刻就可以動(dòng)工。三星雖未明確公布將使用幾臺EUV設備，但業(yè)界推測應在4~8臺。

皆為保住DRAM市場(chǎng)龍頭寶座

半導體大廠(chǎng)搶進(jìn)先進(jìn)制程，尤以10納米以下必須導入波長(cháng)只有13.5納米的極紫外光(EUV)，才能降低晶圓制造的光罩數，縮短芯片制程流程。由于要價(jià)1.5億美元（折合新臺幣約45億元）的EUV設備，目前只有艾司摩爾(ASML)獨家供應。

三星在2016年10月開(kāi)始以現有的曝光設備反復刻畫(huà)電路量產(chǎn)18nm DRAM，至今尚未公布1ynm DRAM量產(chǎn)計劃，業(yè)界認為三星已準備好1znm量產(chǎn)技術(shù)，只是無(wú)法決定導入時(shí)間點(diǎn)。

熟悉三星電子情況的人士說(shuō)，原則上三星的EUV機臺只會(huì )用在7納米晶圓代工，不過(guò)有些可以拿來(lái)生產(chǎn)DRAM。三星最可能以ASML生產(chǎn)的EUV機臺進(jìn)行量產(chǎn)，預料將裝設4~8臺EUV設備，但機臺價(jià)格動(dòng)輒數千億韓元，制程速度慢是最大缺點(diǎn)，三星能否獲利仍是未知數，。

專(zhuān)家預測，雖然導入EUV仍有幾項缺點(diǎn)，三星仍會(huì )考慮用EUV生產(chǎn)10納米DRAM，以維持市場(chǎng)龍頭寶座。前不久韓媒曾報導三星擬訂下ASML近90%的機臺，以阻礙臺積電等廠(chǎng)的量產(chǎn)進(jìn)度。

三星是全球DRAM霸主，市調機構的資料顯示，2017年第3季三星在移動(dòng)設備與服務(wù)器DRAM市場(chǎng)的占有率各為58.3%、45.9%，DRAM的營(yíng)業(yè)利益率更高達62%。2016年下半年首先量產(chǎn)18納米DRAM，今年下半年將推進(jìn)至15納米，制程領(lǐng)先對手1至2年。

據韓媒報導，三星電子的半導體事業(yè)司令部已由器興移到華城。會(huì )長(cháng)權五鉉執掌半導體暨設備解決方案事業(yè)部(DS)時(shí)期，權五鉉的辦公室位于器興廠(chǎng)區，社長(cháng)金奇南接任DS部長(cháng)后，每天上下班地點(diǎn)是華城廠(chǎng)區內的半導體零組件研究大樓，業(yè)界認為金奇南將會(huì )加強對系統半導體事業(yè)的管理效率。

SK海力士、美光拼命追趕

另外，三星的競爭對手SK海力士也有意以更先進(jìn)制程生產(chǎn)DRAM。傳聞2017年第4季SK海力士將啟動(dòng)1xnm DRAM生產(chǎn)，并在2018年下半開(kāi)發(fā)出1ynm DRAM制程，但SK海力士并未明確提到是否采用EUV設備。

DRAM第三大廠(chǎng)美光也在拼命追趕。美光已于今年第一季量產(chǎn)18納米DRAM，計劃未來(lái)兩三年砸下20億美元，研發(fā)13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠(chǎng)增設無(wú)塵室設備，并購買(mǎi)了多項高價(jià)生產(chǎn)儀器，進(jìn)入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產(chǎn)力將提高20%。