三星210億美元投資存儲器

IC Insights 14日發(fā)表研究報告指出，今年全球半導體資本支出有望成長(cháng)35%至908億美元，其中三星今年的支出高達260億美元、遠多于去年的113億美元，比英特爾、臺積電加總起來(lái)還要多。

IC Insights總裁Bill McClean指出，其追蹤半導體產(chǎn)業(yè)這37年來(lái)，從未看過(guò)如此積極的資本支出計劃，三星今年的支出規模，在半導體業(yè)界可說(shuō)是史無(wú)前例。（圖為三星歷年支出統計）

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IC Insights估計，三星今年的260億美元半導體支出當中，140億美元會(huì )分配給3D NAND、70億美元分配給DRAM、50億美元分配給專(zhuān)業(yè)晶圓代工(用來(lái)擴充10納米制程產(chǎn)能)。

然而，三星在存儲器所砸下重本的同時(shí)，存儲器更讓三星賺得盤(pán)滿(mǎn)缽滿(mǎn)。

趙偉國：存儲之戰是中國紫光也是中國半導體制造的最核心之戰

11月19日，央視財經(jīng)頻道《對話(huà)》欄目播出了與紫光集團趙偉國的采訪(fǎng)對話(huà)。

在節目中，趙偉國就展示了三種芯片：第一種是存儲器，第二種是手機處理器。此外，他還展示了一枚特殊的芯片，他說(shuō)：“這枚芯片價(jià)值10億美元。這是一枚32層64G存儲芯片，是長(cháng)江存儲1000人干了2年時(shí)間研發(fā)出來(lái)的。”

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以下為采訪(fǎng)對話(huà)節選：

主持人：存儲是不是在芯片這個(gè)領(lǐng)域當中算是金字塔頂端的技術(shù)了？

趙偉國：它所占的比重很大，整個(gè)集成電路產(chǎn)值里面，以CPU包括像我們知道的英特爾X86，還有手機上高通、聯(lián)發(fā)科、展訊這些手機基帶，這些加起來(lái)大概占三分之一的產(chǎn)值，存儲占了另外三分之一，其他的芯片加在一起才占三分之一，所以存儲是一個(gè)，尤其對中國來(lái)說(shuō)是個(gè)兵家必爭之地，因為它的規模很大，應用非常廣泛，而且在中國市場(chǎng)增長(cháng)非常迅速。

在節目中，趙偉國還談到了之前紫光收購美光一事：

趙偉國：之前我們秘密發(fā)出了對美光的收購要約，在這一天我們基本確定了美國政府不會(huì )批準。為什么說(shuō)失敗是好事呢？說(shuō)明了存儲的價(jià)值，證明我們的戰略是對的。美國白宮報告中提到：抑制中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。美光是全球第三的存儲芯片企業(yè)，也是美國碩果僅存的存儲芯片企業(yè)了，戰略地位非常重要。

我們已經(jīng)預計到美國政府可能會(huì )不批準，但是我們?yōu)槭裁催€要繼續做這件事呢？第一如果他批準，我會(huì )節約很多時(shí)間，第二我們既然下決心要在存儲領(lǐng)域打一場(chǎng)大戰，有時(shí)候是明修棧道暗度陳倉，一場(chǎng)奇襲，有時(shí)候要大張旗鼓，中國有句話(huà)講，“插起招軍旗，才有吃糧人“這種情況下，我要在全世界聚集最優(yōu)秀的人才資源來(lái)支撐我，我要把旗子亮起來(lái)。

主持人：于先生，你覺(jué)得趙總是個(gè)什么風(fēng)格的人？

于英濤：從芯這個(gè)角度來(lái)說(shuō)，他講過(guò)一句話(huà)：芯片雖然沒(méi)印國旗，但是是有國籍的。這話(huà)非常到位，這是他對產(chǎn)業(yè)的理解，以及對整個(gè)世界經(jīng)濟、芯片行業(yè)在現今當中幾個(gè)超級大國在爭奪芯片的話(huà)語(yǔ)權的理解。我算是企業(yè)家里面膽子比較大的，但是我在他的位置上，我會(huì )天天睡不著(zhù)覺(jué)的。因為他把所有的個(gè)人的身家性命，全部壓到了這個(gè)芯片上，成功了他將是個(gè)留名千古的企業(yè)家，失敗了，他什么都沒(méi)了。

趙偉國：我之所以敢把所有都壓上去，是因為我認為我能把這件事做成，因為這不僅僅是我個(gè)人的財富問(wèn)題，它也關(guān)系到國家戰略的實(shí)現，其實(shí)個(gè)人的錢(qián)沒(méi)有了是小事情，如果國家把這么大一件事情主要的希望寄托在你肩上，如果你不能做成，那就不僅是財富損失，你會(huì )成為國家民族罪人。

主持人：那到目前為止，這個(gè)戰役的進(jìn)展如何？

趙偉國：剛才我展示了這個(gè)存儲芯片，目前這個(gè)存儲之戰，是中國紫光也是中國半導體制造的最核心之戰，現在整個(gè)戰斗的進(jìn)程基本上是按照我們的預期在向前演進(jìn)。

主持人：那它意味著(zhù)我們和國際最領(lǐng)先的水平之間的差距縮小了多少？

趙偉國：如果說(shuō)第一名是奔馳寶馬的話(huà)，排第二的大概是奧迪，我想到19年我們就達到帕薩特的水平，它跟奔馳寶馬還是差一些，但是基本上都有了，相當于在市場(chǎng)上有一席之地了。

韓美大廠(chǎng)壟斷下的存儲器市場(chǎng)

2016年全球半導體的銷(xiāo)售額之和為3389.31億美元，其中集成電路為2766.98億美元，占82%（注意集成電路是半導體的一部分）。但存儲器市場(chǎng)容量約780-800億美元，占全球半導體市場(chǎng)的23%，是僅次于邏輯電路的第二大產(chǎn)品。

從存儲器的種類(lèi)看，主要分DRAM和Flash，2016年DARM市場(chǎng)容量約414億美元， NAND Flash約346億美元， Nor Flash市場(chǎng)容量較小，約33億美元。據預測2017年，DRAM市場(chǎng)將達到720億美元的規模，DRAM預計將成為2017年半導體行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類(lèi)別，超出NAND閃存市場(chǎng)(498億美元)222億美元

根據IC Insights 在 2016 年推出的調查報告，目前全世界前十大半導體廠(chǎng)商中，從事內存和閃存芯片的設計與制造的，主要有5家：三星電子、SK 海力士、英特爾、鎂光科技、東芝半導體，韓國和美國的廠(chǎng)商，幾乎已經(jīng)壟斷了全球的存儲器市場(chǎng)。

DRAM方面，根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示2017年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收數據顯示，三星、SK海力士?jì)纱箜n廠(chǎng)的市占各為45.8%與28.7%，合計已囊括74.5%的市占率。美光市占21.0%，三家企業(yè)的市占率已達95.5%。

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NAND Flash方面，同為集邦咨詢(xún)半導體研究中心數據，2017年全球NAND Flash品牌廠(chǎng)商產(chǎn)能市占率中，三星占據36.9%、東芝及西數占據34.4%，加上SK海力士、美光及英特爾，五大廠(chǎng)商壟斷市場(chǎng)。

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Nor Flash方面，同為集邦咨詢(xún)半導體研究中心2017年6月數據，2016年全球市場(chǎng)份額美國Cypress第一25%、臺灣旺宏第二24%、美光第三18%、臺灣華邦第四17%、我國兆易創(chuàng )新第五7%。

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以上可見(jiàn)，在占據絕大部分市場(chǎng)容量的DRAM和NAND Flash方面，中國基本為零，僅在市場(chǎng)容量不及DRAM 1/10容量的Nor Flash上有兆易創(chuàng )新入圍。

2017年存儲器瘋狂增長(cháng)，讓韓國成為全球半導體領(lǐng)域增長(cháng)最快的國家。根據ICinsight 2017年10月的預計，2017年NAND閃存市場(chǎng)強勢增長(cháng)44%，DRAM市場(chǎng)更是逆天增長(cháng)74%，兩相加持之下，帶動(dòng)2017年IC市場(chǎng)將實(shí)現強勁增長(cháng)22%，2017年存儲器占世界半導體的份額將從23%變成30%。

由于市場(chǎng)需求的激增及韓美大廠(chǎng)的壟斷，今年存儲器價(jià)格上漲現象極其嚴重。集邦咨詢(xún)半導體研究中心（DRAMeXchange）研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標準型內存模組（DDR44GB）合約價(jià)為例，從去年中開(kāi)始起漲，由當時(shí)的13美元均價(jià)拉升至今年第四季度合約價(jià)30.5美元，報價(jià)連續6個(gè)季度增長(cháng)，合計漲幅超過(guò)130%，帶動(dòng)相關(guān)DRAM大廠(chǎng)獲利能力大幅提升。

目前，在連續數季內存價(jià)格上升的帶動(dòng)下，SK海力士、美光皆累積許多現金在手，幾大廠(chǎng)商已開(kāi)啟擴產(chǎn)計劃。

SK海力士將在年底展開(kāi)18nm制程，無(wú)錫二廠(chǎng)也將在明年興建，預計2019年產(chǎn)出；美光借著(zhù)股價(jià)水漲船高之際宣布現金增資，代表未來(lái)在蓋新廠(chǎng)、擴張產(chǎn)能與制程升級上做好了準備；三星也有意將其平澤廠(chǎng)二樓原定興建NAND的產(chǎn)線(xiàn)，部分轉往生產(chǎn)DRAM，并全數采用18nm制程，加上原有Line17還有部分空間可以擴產(chǎn)，預計三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量提升80K~100K晶圓，帶動(dòng)三星明年產(chǎn)出供給量由原本預估的增長(cháng)18%上升至23%。

國內存儲器發(fā)展現狀

目前國內主流存儲器芯片的參與者主要有三家，分別是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和紫光集團共同投資的長(cháng)江存儲、聯(lián)電的福建晉華和合肥長(cháng)鑫，近期兆易創(chuàng )新也通過(guò)與合肥產(chǎn)投合作，入局DRAM。

長(cháng)江存儲初期定位于3D NAND Flash芯片的生產(chǎn)，后期將進(jìn)行DRAM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)；而福建晉華與合肥長(cháng)鑫則主攻DRAM內存顆粒，其中福建晉華與臺企聯(lián)華電子合作，根據三家企業(yè)的規劃，研發(fā)與投產(chǎn)均將2018年定為關(guān)鍵節點(diǎn)，2018年有望成為國產(chǎn)存儲器主流化發(fā)展元年。

從產(chǎn)品方面看，NAND Flash目前僅有長(cháng)江存儲一家，DRAM方面則包括長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫、福建晉華及兆易創(chuàng )新。

從市場(chǎng)狀況來(lái)看，2017年全球內存芯片價(jià)格持續高漲，集邦咨詢(xún)數據顯示，2017年全球內存平均銷(xiāo)售單價(jià)較去年增長(cháng)35.2%，全球內存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(cháng)60%～65%。如果這種局面得以延續，對新投入存儲市場(chǎng)的中國企業(yè)來(lái)說(shuō)將是一大利好，對開(kāi)局是一個(gè)有利條件。

然而，日前三星等國際存儲器大廠(chǎng)已有2018年擴產(chǎn)的計劃。三星等國際大廠(chǎng)的擴產(chǎn)勢必壓抑內存價(jià)格上漲幅度，同時(shí)也將提升中國企業(yè)的進(jìn)入門(mén)檻。

以下為中國幾大存儲器廠(chǎng)商的進(jìn)展情況：

長(cháng)江存儲

長(cháng)江存儲是紫光公司收購武漢新芯科技公司之后成立的存儲芯片公司，在武漢開(kāi)工建設國內最大的存儲芯片基地，總投資超過(guò)了240億美元，目前建設的是一期工程，主要針對3D閃存，今年9月份產(chǎn)房提前封頂，進(jìn)展很順利。

11月中旬，長(cháng)江存儲已成功研發(fā)32層3D NAND Flash芯片，長(cháng)江存儲原本規劃12月底才提供32層3D NAND樣本，然該顆芯片樣本提前出來(lái)（上文趙偉國在節目中有所展示），且第一版就通過(guò)終端實(shí)測，象征研發(fā)獲得重大突破。

根據長(cháng)江存儲的規劃，預計在2018年下半年正式開(kāi)始3D閃存生產(chǎn)，初期產(chǎn)能5000片晶圓/月，不過(guò)一旦解決良率問(wèn)題，后續就會(huì )大規模量產(chǎn)，武漢基地的設計產(chǎn)能最終可以達到30萬(wàn)片晶圓/月，未來(lái)足以比肩SK Hynix、東芝這樣的公司的產(chǎn)能。

業(yè)者透露，長(cháng)江存儲已預訂5000片產(chǎn)能的機臺設備，預計2018年第二季度投入市場(chǎng)。

合肥長(cháng)鑫

2017年5月25日，由合肥市政府支持的合肥長(cháng)鑫公司宣布，預計由合肥長(cháng)鑫投資72億美元，興建12吋晶圓廠(chǎng)以發(fā)展DRAM產(chǎn)品，未來(lái)完成后，預計最大月產(chǎn)將高達12.5萬(wàn)片規模，其規模將與韓國 SK Hynix 現在的產(chǎn)能差不多，比福建晉華的存儲器產(chǎn)能更高。

目前，合肥長(cháng)鑫高端通用存儲晶圓制造項目正在施工，該項目擬建成業(yè)界先進(jìn)工藝制程的12英寸存儲器晶圓研發(fā)項目，計劃2017年廠(chǎng)房建成，明年上半年完成設備安裝和調試，并且開(kāi)始與晶圓供應商進(jìn)行商談，以確保2018年內獲得穩定的晶圓供應，預計2018年下半年產(chǎn)品研發(fā)成功。

福建晉華

2016年5月聯(lián)電宣布與晉華集成電路公司簽約合作，由聯(lián)電負責開(kāi)發(fā)DRAM制程相關(guān)技術(shù)。福建省晉華12寸新廠(chǎng)初期將導入32納米制程，預期在2018年9月開(kāi)始試產(chǎn)，投入DRAM及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)與銷(xiāo)售，預計2019年到2020年期間將月產(chǎn)能擴大至3萬(wàn)片。

目前一期總投資370億元，已納入國家十三五集成電路重大項目清單，并得到第一筆 30 億元國家專(zhuān)項資金支持，爭取 3-5 年內在國內主板上市。

9月5日，福建晉華存儲器生產(chǎn)線(xiàn)項目FAB主廠(chǎng)房P1區屋面完成封閉。日前，聯(lián)電表示將于明年第四季度完成第一階段技術(shù)開(kāi)發(fā)。

兆易創(chuàng )新

10月28日，兆易創(chuàng )新宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司簽署了《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，根據合作協(xié)議，兆易創(chuàng )新將在合肥市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區空港經(jīng)濟示范區內開(kāi)展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）的研發(fā)，目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實(shí)現產(chǎn)品良率不低于10%。項目預算達180億元，兆易創(chuàng )新與合肥產(chǎn)投將根據1∶4的比例負責籌集，兆易創(chuàng )新負責籌集約36億元。

兆易創(chuàng )新曾計劃收購主營(yíng)DRAM、SRAM等存儲芯片廠(chǎng)商ISSI，進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)。但8月3日晚間兆易創(chuàng )新宣布終止收購ISSI，事與愿違?，F在兆易創(chuàng )新與合肥投資公司合作研發(fā)19nm制程工藝的存儲器，再次入局DRAM市場(chǎng)。

國家攜手地方政策支持

近幾年，國家加大對存儲產(chǎn)業(yè)的建設，以及加強對數據信息安全存儲的重視，產(chǎn)業(yè)扶持政策和新項目投資也在持續升溫中。從國家政府發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，到國家大基金/華芯投資已投資50多個(gè)項目，40多家企業(yè)，中國集成電路產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的步伐正在進(jìn)行中。

目前，中國存儲器幾大廠(chǎng)商雖尚未實(shí)現量產(chǎn)，但也在快速推進(jìn)中，政府的政策支持成為主要驅動(dòng)力。

集邦咨詢(xún)在最新的“中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析”報告中指出，政府從中央到地方對半導體產(chǎn)業(yè)支持力道將持續擴大，大基金除持續支持較薄弱但又很重要的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節外，存儲器相關(guān)、SiC/GaN等化合物半導體、圍繞IoT/5G/AI/智能汽車(chē)等應用趨勢的IC設計領(lǐng)域，將是政府主導的大基金未來(lái)投資的三大方向。

2015年出臺的《集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規劃》提出，到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷(xiāo)售收入年復合增長(cháng)率為20%，達到9300億元。

從大基金的發(fā)展來(lái)看，集邦咨詢(xún)指出，統計至2017年9月，大基金首期募資1,387.2億元人民幣，共投資55個(gè)項目，承諾出資1,003億元人民幣，實(shí)際出資653億元人民幣，其中IC制造因資金規模較大，占整體投資比重65%為最大。

目前大基金第二期已在募資中，預計規模將達1500-2000億元人民幣，投資項目也將有所調整，集邦咨詢(xún)預估，大基金在IC設計投資比重將增加至20%-25%，投資對象也將擴大到具發(fā)展潛力的新創(chuàng )企業(yè)。

另一方面，觀(guān)察政府推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略，由中央帶動(dòng)地方發(fā)展的趨勢已非常明確。至2017年6月，配合國家大基金而成立的地方半導體產(chǎn)業(yè)投資基金已達5145億元人民幣，其中規模最大者高達500億元人民幣。各地方政府也因應中央的策略，陸續發(fā)布半導體產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項政策，其范圍遍及資金、研發(fā)、投資、創(chuàng )新、人才等，意味著(zhù)地方政府不僅有發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的決心，也為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)實(shí)際的支持。

此外，在多個(gè)地方政府積極投入半導體產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下，其他城市也將崛起，集邦咨詢(xún)指出，這也將導致未來(lái)幾年中國半導體產(chǎn)業(yè)格局的改變，預期合肥、廈門(mén)、晉江等將可望成為中國新一代半導體產(chǎn)業(yè)重鎮。

小結

不得不說(shuō)，中國存儲器之戰已經(jīng)打響，在這場(chǎng)戰爭中，中國與國際仍有著(zhù)巨大的距離，但我們仍要鼓足力氣努力追趕，借用寧南山的一句話(huà)：存儲器領(lǐng)域的戰爭，將會(huì )比我們想象的要殘酷，也會(huì )比我們預計的持續更久，但是也要有信心，最終獲勝的一定是更加具有規模優(yōu)勢的中國。

2018年，僅僅只是戰斗的開(kāi)始。