三星電子今年的半導體資本支出大幅增加、增幅出乎市場(chǎng)意料之外，科技市調機構IC Insights警告，這會(huì )讓3D NAND型快閃記憶體供給過(guò)剩，也扼殺了中國企業(yè)在3D NAND或DRAM市場(chǎng)大展身手的希望。電子設計模塊
IC Insights 14日發(fā)表研究報告指出，今年全球半導體資本支出有望成長(cháng)35%至908億美元，其中三星今年的支出高達260億美元、遠多于去年的113億美元，比英特爾、臺積電加總起來(lái)還要多。
IC Insights總裁Bill McClean指出，他追蹤半導體產(chǎn)業(yè)這37年來(lái)，從未看過(guò)如此積極的資本支出計劃，三星今年的支出規模，在半導體業(yè)界可說(shuō)是史無(wú)前例。（圖為三星歷年支出統計）
該機構預測，三星今年第4季的半導體資本支出將達到86億美元，占全球半導體產(chǎn)業(yè)支出總額(262億美元)的33%。與此同時(shí)，三星Q4的導體銷(xiāo)售額，對全球占比則將達16%。
IC Insights估計，三星今年的260億美元半導體支出當中，140億美元會(huì )分配給3D NAND、70億美元分配給DRAM、50億美元分配給專(zhuān)業(yè)晶圓代工(用來(lái)擴充10納米制程產(chǎn)能)。
三星今年的龐大資本支出，對未來(lái)影響極大。該機構相信，3D NAND市場(chǎng)很可能會(huì )有一段供過(guò)于求的時(shí)期，除了三星大舉支出外，競爭對手(如SK 海力士、美光、東芝、英特爾等)也會(huì )跟著(zhù)擴充產(chǎn)能、以免喪失市占率。另一方面，三星大舉支出，也等于扼殺了中國在3D NAND或DRAM市場(chǎng)大展身手的希望。
