此次提前封頂的項目（一期）一號生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房建筑面積達52.4萬(wàn)㎡，預計將于2018年投入使用。項目（一期）達產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

國家存儲器基地項目一期規劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開(kāi)工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產(chǎn)廠(chǎng)房，其核心生產(chǎn)廠(chǎng)房和設備每平方米的投資強度超過(guò)3萬(wàn)美元。

2016年3月，總投資約1600億元人民幣的國家存儲器基地在武漢啟動(dòng)。四個(gè)月后，為該項目組建的長(cháng)江存儲科技有限責任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）正式成立。

據報道，長(cháng)江存儲的注冊資本分兩期出資。一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金和武漢新芯股東湖北省科技投資集團共同出資，武漢新芯的基礎上建立長(cháng)江存儲，武漢新芯成為長(cháng)江存儲的全資子公司。二期將由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金共同出資。

長(cháng)江存儲在2017年初引進(jìn)紫光集團資金，長(cháng)江存儲的股權結構變成紫光旗下的紫光國器持股達51%，紫光集團董事長(cháng)兼長(cháng)江存儲公司董事長(cháng)趙偉國到場(chǎng)參加封頂儀式。

紫光原本規劃旗下紫光國芯將收購長(cháng)江存儲100%股權，后因內部評估長(cháng)江存儲的投資規模十分龐大，目前處于前期的建設階段，短期內無(wú)法產(chǎn)生營(yíng)收，認為現在收購長(cháng)江存儲100%股權的條件不夠成熟，所以該計劃暫時(shí)喊停，但紫光強調長(cháng)江存儲需要的人民幣386億元資金全數到位。

目前長(cháng)江存儲與合肥長(cháng)鑫、福建晉華是中國三大存儲芯片企業(yè)，據悉長(cháng)江存儲現已研發(fā)出了國產(chǎn)32層堆棧的3D NAND Flash，預計2018年后量產(chǎn)。另有報道，高啟全曾表示長(cháng)江存儲將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，力爭把與三星等大廠(chǎng)的差距縮短在2年以?xún)取?/p>

存儲器占整個(gè)半導體市場(chǎng)規模超20%，地位十分重要，而且存儲芯片是信息安全中的重要一環(huán)。目前存儲芯片市場(chǎng)主要由美日韓主導，是高度壟斷的寡頭市場(chǎng)格局。“受制于人”的被動(dòng)局面，不僅讓我國企業(yè)承受著(zhù)巨大的專(zhuān)利扼制之痛，而且也時(shí)刻威脅著(zhù)國民經(jīng)濟以及企業(yè)經(jīng)營(yíng)的安全。

如今中國存儲芯片已經(jīng)上升到國家戰略高度，長(cháng)江存儲肩負著(zhù)振興國產(chǎn)存儲器的重擔，但目前存儲芯片產(chǎn)業(yè)壟斷高、投資大、壁壘高，長(cháng)江存儲今后要走的是一條充滿(mǎn)挑戰之路。