有分銷(xiāo)商人士對國際電子商情表示，閃迪19納米工藝產(chǎn)品今年第三季度就會(huì )停產(chǎn)（EOL），15納米的4GB產(chǎn)品最快也要等到Q3-4才會(huì )進(jìn)行量產(chǎn)。閃迪的4GB顆粒這周牌價(jià)4.6美元左右微漲。未來(lái)閃迪主推15納米工藝產(chǎn)品，待產(chǎn)能釋放將直接8GB-16GB起跳。
目前，西部數據、閃迪、HGST共同組成了西部數據公司，SSD漲價(jià)讓西數營(yíng)收暴增。SSD方面從去年第二季至今漲幅逾八成，本周報價(jià)出現下跌，調降各產(chǎn)品線(xiàn)約1美元智能手機方面，eMMC價(jià)格也出現微跌。內存IC設計及模塊廠(chǎng)認為，NAND Flash漲多回調，預估第二季將面臨價(jià)格回跌，下半年進(jìn)入新品出貨旺季，可使銷(xiāo)售量上揚。
閃迪和東芝聯(lián)手打造的15nm工藝除了縮小芯片尺寸之外，還改進(jìn)了外圍電路技術(shù)，能夠獲得和第二代19nm工藝相同的寫(xiě)入速度。同時(shí)借助新的高速接口，數據傳輸率相比上一代 19nm 的模塊提高了30%，達到533Mbps。閃迪設計東芝制造的15nm NAND 閃存模塊在日本三重縣四日市的 Fab 5 廠(chǎng)房進(jìn)行量產(chǎn)，15納米主要用于替代19納米工藝生產(chǎn)先進(jìn)構架的新存儲芯片，可以制造全球體積最小且最具成本效益的128Gb芯片，是閃迪未來(lái)數年的主流工藝。
在3D-NAND的進(jìn)展上，64層堆棧的3D-NAND Flash在良率與eMMC／UFS、消費級SSD、企業(yè)級SSD等OEM產(chǎn)品的導入上，挑戰性皆增加，因此明年3D-NAND在64層堆棧的產(chǎn)品成熟前也將維持供應吃緊的狀況，最快要到2017年第三季起才有機會(huì )成熟量產(chǎn)出貨。
從產(chǎn)品面看，閃迪（西數）64層堆棧3D-NAND Flash已經(jīng)在自家Retail產(chǎn)品開(kāi)始出貨，OEM產(chǎn)品的認證過(guò)程也會(huì )在本季開(kāi)始進(jìn)行，預計整體3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重在2017年底前將超過(guò)50%。
從需求端來(lái)看，由于智能手機成長(cháng)放緩、平板電腦出貨持續衰退，相關(guān)行動(dòng)式 NAND的需求成長(cháng)動(dòng)能將改由平均搭載量（Content per box）來(lái)驅動(dòng)，而在新款iPhone出貨主流為128GB下，其他智能手機品牌也加速提升eMMC／UFS的容量來(lái)提高產(chǎn)品競爭力。
預估，2017年第四季全球筆電出貨的固態(tài)硬盤(pán)滲透率將超越50%，且企業(yè)級SSD的需求也隨著(zhù)服務(wù)器／數據中心的需求強勁成長(cháng)而快速上揚，再加上固態(tài)硬盤(pán)的平均搭載量也持續增加，使得2017年整體固態(tài)硬盤(pán)需求成長(cháng)率將高達60%，所消耗的Flash比重也將正式站上40%大關(guān)，為各項NAND Flash終端需求中表現最強勁的應用。
