余承東日前爆料稱(chēng)，P10系列手機混用UFS和EMMC兩種閃存方案的核心原因，就是供應鏈Flash嚴重缺貨，華為的存儲至今還處于缺貨之中。那么，NAND Flash制造商如今產(chǎn)能狀況如何？缺貨問(wèn)題何時(shí)能夠得到緩解？
據DIGITIMES報道，全球存儲器主要的幾家大型原廠(chǎng)開(kāi)始針對3D NAND Flash提高產(chǎn)能，包括三星電子、SK海力士、東芝、美光、英特爾等，3D NAND產(chǎn)能將有望在今年下半年放量。有后段封測廠(chǎng)表示，供給緊缺局面得到稍微緩解、價(jià)格回穩，至少要等到2017年第三季度。
主要是因為2017年存儲器大廠(chǎng)將工藝從2D NAND轉換到3D NAND的過(guò)程中，良率一直不穩定，2D NAND需求旺盛產(chǎn)能滿(mǎn)載，總體閃存產(chǎn)能供給減少，造成NAND Flash價(jià)格上漲、供需緊張局面。半導體相關(guān)廠(chǎng)商表示，韓廠(chǎng)2017年下半年將陸續量產(chǎn)，三星的64層3D NAND、SK海力士的72層3D NAND領(lǐng)先業(yè)界。
三星兩年前斥資144億美元建設的平澤工廠(chǎng)基本完工了，三星稱(chēng)其為世界最大的半導體工廠(chǎng)，預計7月份正式投產(chǎn)，主要生產(chǎn)64層堆棧的新一代3D NAND閃存。
平澤工廠(chǎng)預計會(huì )在7月份正式投產(chǎn)，雖然號稱(chēng)是全球最大的半導體工廠(chǎng)，不過(guò)產(chǎn)能提升也是有個(gè)過(guò)程的，今年內產(chǎn)能可能只有7-8萬(wàn)片晶圓/月，一兩年之后才能全速運轉。三星平面及3D閃存工廠(chǎng)加起來(lái)每月產(chǎn)能大約是45萬(wàn)片晶圓，平澤工廠(chǎng)將占據10-20%的份額。
三星平澤工廠(chǎng)在未來(lái)兩三年內可能還是最大的半導體工廠(chǎng)，不過(guò)這個(gè)最大工廠(chǎng)的名頭很有可能被中國的長(cháng)江存儲科技取代——該公司在武漢、南京建設的晶圓廠(chǎng)規模更大，2020年時(shí)每個(gè)晶圓廠(chǎng)月產(chǎn)能可達30萬(wàn)片晶圓（還是12英寸的），真要投產(chǎn)了這兩個(gè)工廠(chǎng)的產(chǎn)能就足以比肩三星全部NAND工廠(chǎng)產(chǎn)能，而武漢基地規劃的產(chǎn)能最終是在2030年達到每月100萬(wàn)片晶圓。目前，紫光集團正在通過(guò)旗下上市平臺紫光國芯并購長(cháng)江存儲公司。
與臺灣存儲產(chǎn)業(yè)關(guān)系密切的美光科技，預計2017年第二季度實(shí)現64層3D NAND的量產(chǎn)工作，2017年下半年開(kāi)始有望放量生產(chǎn)。日本廠(chǎng)商東芝半導體業(yè)率先鎖定了64層3D NAND Flash產(chǎn)品，擴大持續擴大3D NAND產(chǎn)能。
英特爾大連工廠(chǎng)已于2016年底量產(chǎn)3D NAND，2017年下半年更會(huì )生產(chǎn)新一代3D XPoint存儲器——NVM非揮發(fā)性存儲器，效能大勝于NAND Flash。目前，英特爾僅推出第一款采用3D Xpoint之固態(tài)硬盤(pán)。后段封測代工廠(chǎng)力成表示，美光的3D NAND和英特爾3D XPoint訂單增長(cháng)，第二季度將優(yōu)于第一季度。由于具有相當難度，交期恐怕延長(cháng)。
有存儲業(yè)者表示，預估2017年上半年DRAM、NAND Flash缺貨漲價(jià)行情會(huì )持續，市場(chǎng)進(jìn)入第三季度，隨著(zhù)國際大廠(chǎng)陸續放量生產(chǎn)3D NAND，整體NAND Flash漲價(jià)態(tài)勢稍微趨緩，產(chǎn)業(yè)供需緊張可望稍微調整腳步。
