晶圓代工漲價(jià)根據平臺調整
“原材料在漲價(jià)，例如硅片、掩膜等漲價(jià)，因此我們也會(huì )適當地跟進(jìn)漲價(jià)，當然這個(gè)漲幅有高有低，會(huì )根據平臺和市場(chǎng)需求調整。” 上海華力微電子有限公司副總裁舒奇日前接受?chē)H電子商情采訪(fǎng)時(shí)表示。本刊此前報道，受硅晶圓漲價(jià)影響，一些熱門(mén)物料如MOSFET、NOR FLASH出現了漲價(jià)行情。從應用端看，消費類(lèi)、物聯(lián)網(wǎng)需求的放量也帶動(dòng)了8寸、12寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)能滿(mǎn)載。據了解，通常填線(xiàn)平臺此前生產(chǎn)價(jià)格較低的大眾類(lèi)產(chǎn)品，如今已調整成市場(chǎng)價(jià)格。據悉，華力微一廠(chǎng)12寸55nm、40nm目前產(chǎn)能均呈飽滿(mǎn)態(tài)勢，值得關(guān)注的是隨著(zhù)二廠(chǎng)建設和28nm研發(fā)進(jìn)程的推進(jìn)，將帶動(dòng)一批國內IC設計客戶(hù)逐漸從55nm遷移至28nm。
華力微電子目前的產(chǎn)線(xiàn)主要是邏輯、NOR FLASH芯片為主，主力55nm和40nm工藝，55nm邏輯芯片占業(yè)務(wù)多數，據透露較大型客戶(hù)每月出貨達到幾千片。NOR FLASH方面沒(méi)有提供更多產(chǎn)能。前不久，華力微與Cypress基于華力55納米低功耗工藝和Cypress SONOS知識產(chǎn)權開(kāi)發(fā)的低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，主要定位于MCU和物聯(lián)網(wǎng)等低功耗應用。2016年開(kāi)始試量產(chǎn)，到2017年下半年會(huì )有更多客戶(hù)采用該技術(shù)及IP進(jìn)行完全量產(chǎn)。目前國內有三家客戶(hù)，主要應用在卡類(lèi)和MCU。
二廠(chǎng)進(jìn)展順利，主力28nm，無(wú)懼建廠(chǎng)熱潮競爭
華力微二廠(chǎng)已經(jīng)在建設當中，據悉2017年底廠(chǎng)房封頂，18年上半年機臺搬入，18年下半年28nm部分量產(chǎn)，產(chǎn)能預計4萬(wàn)片每月?，F今，一廠(chǎng)的產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片。此前，華力微宣布與聯(lián)發(fā)科合作的28納米移動(dòng)通信芯片已順利流片，但大規模量產(chǎn)還需將良率進(jìn)一步提高。
目前，根據統計，2016年中芯國際28納米晶圓產(chǎn)能全球占比不足1%，中芯國際希望2017年底28納米季度營(yíng)收占比接近10%。廈門(mén)聯(lián)芯將盡快導入 28 納米制程，預計第二季度進(jìn)入量產(chǎn)。在28納米制程上晶圓廠(chǎng)將展開(kāi)競爭，對此，舒總表示并不擔心。原因是28nm作為一個(gè)長(cháng)生命周期的節點(diǎn)將面對眾多客戶(hù)的需求，只要公司戰略布局合理,不擔心搶食市場(chǎng)的狀況出現。
從國內客戶(hù)對工藝制程的需求來(lái)看，舒總表示，現在55nm客戶(hù)正在嘗試向28nm遷移，90nm、0.11μm，、0.13μm，客戶(hù)則將逐漸遷移至55nm、40nm。
上海華力微電子有限公司副總裁舒奇
華力微的55nm制程不僅供應給現有國外客戶(hù)，據稱(chēng)，一批國內客戶(hù)需求也相當旺盛，舒奇表示目前的狀況即便壓縮大客戶(hù)的供應，也不能全部滿(mǎn)足國內客戶(hù)對55nm邏輯產(chǎn)品的需求?？梢钥吹絿鴥瓤蛻?hù)在邏輯工藝需求方面與日俱增。另一塊業(yè)務(wù)，NOR FLASH市場(chǎng)需求量也很大，倘若有產(chǎn)能有望去到每月幾萬(wàn)片。這也是我們需要擴充產(chǎn)能的幾點(diǎn)原因。 中國各地已經(jīng)開(kāi)始的晶圓代工廠(chǎng)建廠(chǎng)熱潮，在業(yè)界引發(fā)許多討論以及擔憂(yōu)。舒奇認為，國家大力推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對存儲產(chǎn)業(yè)重視有加，中國能夠自主建造存儲芯片和其他芯片，是一件好事。同時(shí)，建設晶圓代工廠(chǎng)也是一項耗費資金的工程，真正落地并非容易。華力微二廠(chǎng)的投入達到387億元，這塊資金有國家的投入以及大基金的支持。是否會(huì )存在產(chǎn)能過(guò)剩的情況？舒奇表示，按目前來(lái)說(shuō)看不到這樣的情況，倘若全部產(chǎn)能規劃運轉，競爭將相當激烈。但華力微歡迎良性競爭格局，有競爭才能促進(jìn)發(fā)展。
FD-SOI方面，華力微拿到國家專(zhuān)項研發(fā)基金，已經(jīng)投入研發(fā)，正在準備當中。舒奇表示，如若FD-SOI市場(chǎng)反應良好，即可啟動(dòng)產(chǎn)能。
ULP特色平臺，物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)應用廣
華力微強調平臺多樣式，加強客戶(hù)服務(wù)，建設標準平臺的同時(shí)提供客制化平臺。據介紹，華力微現有工藝平臺包括55nm，40nm邏輯芯片，55nm CIS，55nmeFlash，65nm nor Flash，以及55nm ULP平臺等等。
55nm ULP平臺是一款超低功耗平臺，針對物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)應用所需。舒奇表示，物聯(lián)網(wǎng)應用的關(guān)鍵需求是超低功耗，從器件、到IP、到SoC芯片，典型值是工作功耗小于10mW；待機功耗小于1uW；工作電壓遠低于正常邏輯平臺的工作電壓(約0.xV)；SRAM單元待機漏電在1pA級別。
正是根據這些功耗和漏電等技術(shù)規格要求，華力定制開(kāi)發(fā)出55納米超低功耗工藝平臺，工藝特點(diǎn)沿用了通用型55納米低功耗工藝平臺的設計規格，優(yōu)化了平臺工藝的漏電性能，與以前的通用型55納米低功耗工藝平臺比較電壓降低了30%，功耗降低了20%。提供了eHVT和eLVT核心器件，支持核心工作電壓最低調降至0.9V，可以滿(mǎn)足廣闊的物聯(lián)網(wǎng)應用需求。
他指出，該工藝技術(shù)已成功量產(chǎn)，未來(lái)將結合射頻工藝以及嵌入式閃存工藝，提供客戶(hù)完整的穿戴式芯片方案。“我們相信這類(lèi)超低功耗的市場(chǎng)應用越來(lái)越大，也對芯片代工提出更高要求。未來(lái)ULP平臺可遷移至40nm、28nm制程工藝。”
邏輯芯片一直具有眾多應用市場(chǎng)，涵蓋手機、射頻、物聯(lián)網(wǎng)，例如功能手機芯片現在仍然擁有巨大的出貨量，原因在于物聯(lián)網(wǎng)等新興市場(chǎng)的開(kāi)拓。未來(lái)，華力微在55nm、40nm以及28nm，甚至更多產(chǎn)線(xiàn)和更先進(jìn)制程的建設研發(fā)上都將穩步推進(jìn)。
