隨著(zhù)2D技術(shù)微縮瓶頸凸顯，2016年三星、東芝、美光、SK海力士等紛紛擴大或加快3D NAND投產(chǎn)。三星最早在2013年以24層投入3D NAND生產(chǎn)，2016年主要量產(chǎn)32層和48層3D NAND，將在年底前開(kāi)始出貨64層3D NAND，預計年底前3D NAND生產(chǎn)比重可提升至40%。
2016年除了三星，東芝、美光、SK海力士等也在加快投入3D NAND，東芝已出樣64層3D NAND，美光和SK海力士在2017年也將分別投入64層和72層3D NAND生產(chǎn)，同時(shí)東芝Fab 2、美光Fab 10x已開(kāi)始進(jìn)入投產(chǎn)階段，再加上SK海力士M14在2017年投產(chǎn)，3D NAND市場(chǎng)競爭已進(jìn)入白熱化階段。
三星除了2013年在中國西安興建3D NAND專(zhuān)用工廠(chǎng)，還在2016上半年將華城Fab 16改造成48層3D NAND產(chǎn)線(xiàn)，以及計劃在2016年底啟動(dòng)Fab 17產(chǎn)線(xiàn)量產(chǎn)3D NAND，現在提前平澤廠(chǎng)的投入時(shí)間，可以預見(jiàn)三星在2017年的3D NAND產(chǎn)能將會(huì )大增。
三星為了穩固在3D NAND市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，以及滿(mǎn)足市場(chǎng)對高存儲密度和高性能NAND Flash的需求，據韓媒etnews 4日報導稱(chēng)，三星平澤廠(chǎng)將提前三個(gè)月投產(chǎn)，目前平澤廠(chǎng)的建筑工事進(jìn)入尾聲 ，正修筑工廠(chǎng)外墻，預計12月完工，緊接著(zhù)開(kāi)始設備投資，購買(mǎi)無(wú)塵室設施和晶圓生產(chǎn)儀器等。
據早期報道，三星在2015年投資興建平澤存儲器工廠(chǎng)，第一階段投資規模達15.6兆韓元，再投入10兆韓元，總投資規模將達25兆韓元以上，主要用于發(fā)展10nm工藝和3D技術(shù)，預計在2017年投入生產(chǎn)，未來(lái)將成為三星重要存儲器生產(chǎn)基地。
西安三星工廠(chǎng)于2014年5月竣工，產(chǎn)能配置還是傳統2D閃存
此外，中國西安的三星工廠(chǎng)也將是未來(lái)64層堆棧3D閃存的主產(chǎn)地之一，三星12英寸閃存芯片工廠(chǎng)（西安）一期工程投資規模高達441億元，可以生產(chǎn)最先進(jìn)的10納米級閃存芯片，去年發(fā)布950 Pro時(shí)三星就提到西安工廠(chǎng)是最早量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的工廠(chǎng)。
