“從今年第二季度開(kāi)始,NAND Flash開(kāi)始漲價(jià),整個(gè)市場(chǎng)NAND Flash供應吃緊,導致與NAND Flash相關(guān)的產(chǎn)品如eMMC、SSD以及高容量的eMCP漲聲一片。平均漲幅達到了20%以上。” 深圳市江波龍電子有限公司行業(yè)客戶(hù)部副總裁王偉民在接受?chē)H電子商情采訪(fǎng)時(shí)表示,目前已經(jīng)接近Q3的尾巴,但還沒(méi)有看到緩解的趨勢,依然維持在比較緊繃的狀態(tài),而Q4又是傳統的旺季,預計到Q4還是一個(gè)比較緊張的狀態(tài)。
此前亦有消息稱(chēng),隨著(zhù)旺季即將到來(lái), Flash原廠(chǎng)對市場(chǎng)供應的Wafer數量在減少且價(jià)格提高了15%。另有業(yè)者指出,美國品牌64Gb MLC規格NAND Flash現貨價(jià)已漲到2.8~2.9美元,128Gb MLC規格NAND Flash現貨價(jià)亦漲到3.8美元以上,5月以來(lái)平均漲幅介于8~14%。
Nand Flash缺貨為哪般?將加劇下游市場(chǎng)洗牌?
在業(yè)界看來(lái),此輪NAND Flash的缺貨主要在于兩方面的原因:一方面是上游芯片廠(chǎng)持續將產(chǎn)能移轉生產(chǎn)3D NAND,導致2D架構NAND Flash產(chǎn)出量下滑;另一方面是,移動(dòng)智能設備和網(wǎng)絡(luò )數據中心、服務(wù)器存儲需求持續快速增長(cháng),尤其是智能型手機/平板搭載eMMC和客戶(hù)端/服務(wù)器用SSD需求翻倍增加,持續消耗大量NAND Flash產(chǎn)能。
王偉民告訴記者,上游的NAND Flash廠(chǎng)商對3D制程轉換預期比較高,今年最大的投資在于將產(chǎn)能移轉至3D NAND,除了三星,包括東芝、SK海力士、美光、SanDisk以及Intel等業(yè)者都在推進(jìn)3D NAND。但在實(shí)際的轉換過(guò)程中并不是很順利,良率不高,除了三星良率穩定提升外,其它廠(chǎng)商3D NAND的產(chǎn)出仍然有限。至于2D NAND,由于產(chǎn)線(xiàn)已轉到3D NAND,2D NAND的產(chǎn)線(xiàn)被壓縮,受到3D NAND產(chǎn)能排擠的影響,市場(chǎng)供應量持續減少中。而另一方面,OEM客戶(hù)對新制程的導入需要時(shí)間,并沒(méi)有那么快,比如手機類(lèi)至少需要3個(gè)月,PC類(lèi)可能需要超過(guò)6個(gè)月的導入時(shí)間。這導致很多項目會(huì )用回2D NAND,導致2D NAND的產(chǎn)品缺口較大。
王偉民進(jìn)一步稱(chēng),從需求角度看,SSD今年的需求上升比較快,因為價(jià)格已經(jīng)到了一個(gè)比較低的水位,120G-128G SSD價(jià)格區間在199-299元;而最受歡迎的240G-256G SSD價(jià)格區間在299-499元。而此前,299元只能買(mǎi)到120G 容量,如今卻能買(mǎi)到240G的容量,市場(chǎng)已經(jīng)到了一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)。他直言,目前PC端SSD的采用已經(jīng)突破了30%,而去年不到25%,預計今年筆記本電腦市場(chǎng)對SSD的采用率會(huì )超過(guò)50%。另外,手機市場(chǎng)的需求也越來(lái)越旺盛,而且對內存容量需求也不斷走高。他指出,隨著(zhù)手機攝像頭像素的不斷提升,對大容量eMMC的需求增長(cháng)也非???。“目前入門(mén)級手機搭載的內存已經(jīng)到16G,國內很多手機如小米、魅族、樂(lè )視、OPPO、VIVO、華為等采用的閃存芯片已經(jīng)以32G、64G為主了,高端一點(diǎn)的達到128G,蘋(píng)果新一代iPhone甚至達到了256G,這推動(dòng)了大容量NAND Flash的需求。”
深圳佰維存儲科技有限公司銷(xiāo)售經(jīng)理葉士剛也表示,今年NAND Flash缺貨的主要原因,一是3D Nandflash制程的轉換;二是手機出貨量沖的很高,尤其是在印度和非洲市場(chǎng)的銷(xiāo)量非常好;三是今年機頂盒在國內市場(chǎng)的增長(cháng)很快。
至于此輪缺貨是否存在少數企業(yè)投機囤貨的現象,王偉民稱(chēng)不排除會(huì )有這樣的情況,但即便有也是一個(gè)短期的行為。一是今年的缺貨時(shí)間較長(cháng),從Q2陸續缺貨到現在,很少有人可以囤到足夠的貨;二是從往年的情況來(lái)看,NAND Flash閃存、DRAM的價(jià)格波動(dòng)較大,漲價(jià)很少會(huì )持續超過(guò)3個(gè)月。王偉民指出,一個(gè)企業(yè)靠囤貨去獲取利益,這并不是一個(gè)可以良好發(fā)展的模式,既會(huì )傷害到客戶(hù),也不利于企業(yè)長(cháng)久發(fā)展。當缺貨發(fā)生時(shí),關(guān)鍵是要順應客戶(hù)的需求去找平衡點(diǎn)。
隨著(zhù)Flash原廠(chǎng)對市場(chǎng)供應的Wafer數量減少, NAND Flash價(jià)格也一直上漲。“不同的容量,漲價(jià)幅度不同,有些漲價(jià)超過(guò)20%,有些超過(guò)了30%,平均來(lái)講,漲價(jià)幅度在20%以上。大容量漲價(jià)幅度相對小一點(diǎn),小容量漲價(jià)較多。”王偉民稱(chēng),實(shí)際上在今年年初,晶圓廠(chǎng)處于供過(guò)于求的狀態(tài),面臨著(zhù)成本壓力和獲利的問(wèn)題。不過(guò),隨著(zhù)缺貨的發(fā)生,目前來(lái)看,他們開(kāi)始獲利。這才是一個(gè)比較良性的生意模式。
目前,主芯片、液晶屏、存儲芯片這三大件都處于緊缺狀態(tài)。王偉民直言,目前屏缺貨最為嚴重,其生產(chǎn)周期,尤其是液晶玻璃的生產(chǎn)周期需要一定的時(shí)間,產(chǎn)能提升應該沒(méi)有這么快。MTK的主芯片已經(jīng)缺了一陣子,據說(shuō)9月份會(huì )有改善,目前可能比之前有所緩解,但看起來(lái)還是比較緊張。這幾大件的缺貨已經(jīng)讓很多生產(chǎn)廠(chǎng)商處于保守階段,不敢輕易接單。王偉民認為,對生產(chǎn)廠(chǎng)商來(lái)講,隨著(zhù)缺貨的持續發(fā)酵,資源會(huì )流到一些核心的重要客戶(hù)上,從而加劇市場(chǎng)洗牌。
此輪缺貨何時(shí)休?
值得注意的是,目前已處于Q3,傳統的消費類(lèi)產(chǎn)品的旺季已經(jīng)到來(lái)。傳統旺季一般從8、9月份開(kāi)始,一直延續到第二年1月,但今年7月份訂單就開(kāi)始增長(cháng)。另外,蘋(píng)果新近推出的iPhone 7提高了NAND Flash的搭載量,同時(shí)非蘋(píng)果陣營(yíng)下半年仍有許多新機上市,加上SSD銷(xiāo)量強勁。如是來(lái)看,NAND Flash市場(chǎng)供給吃緊情況仍將持續。但問(wèn)題是,何時(shí)才能緩解呢?
“目前已經(jīng)接近Q3的尾巴,但還沒(méi)有看到緩解的狀態(tài),依然維持在比較緊繃的狀態(tài),而Q4又是傳統的旺季,預計到Q4還是一個(gè)比較緊張的狀態(tài)。甚至有人預估到明年Q1也無(wú)法緩解。”王偉民認為,蘋(píng)果iPhone7 銷(xiāo)售的好與不好,也會(huì )成為影響整個(gè)市場(chǎng)供求關(guān)系的關(guān)鍵,因為iPhone7若熱賣(mài),必然導致Memory供應商砍掉其它的供應。他進(jìn)一步分析稱(chēng),iPhone7 采用的內存有32G/128G/256G三個(gè)版本,從整體市場(chǎng)來(lái)看,蘋(píng)果對Memory的消耗量占了全球NAND Flash存儲消耗量的近3成。另外,Android手機一直在成長(cháng),消耗的Memory也占近3成。如是,iPhone7與其他品牌智能手機新品上市后的銷(xiāo)售情況必然會(huì )影響NAND Flash的供求關(guān)系。
葉士剛也表示,此輪NAND Flash缺貨預計會(huì )持續到年底。“缺貨不可能一直這樣持續,各大各大NAND Flash原廠(chǎng)都在推進(jìn)3D NAND Flash制程,而且投入已有一年多的時(shí)間。盡管目前3D NAND Flash的價(jià)格比較貴,市場(chǎng)還沒(méi)推開(kāi),但估計到今年底明年初會(huì )逐漸向市場(chǎng)供應。” 他說(shuō),3D NAND FLASH不僅能夠增加容量,而且讀寫(xiě)速度快,耗電量更低,還可以將成本控制在較低水平。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。市場(chǎng)導入會(huì )有一個(gè)過(guò)程。
未來(lái)內存市場(chǎng)將如何走?
目前,手機市場(chǎng)是對存儲的消耗最大,并持續往高速、高容量方向發(fā)展。對于Nand Flash相關(guān)產(chǎn)品未來(lái)的市場(chǎng)發(fā)展走勢,王偉民認為主要有以下幾大方向:
一是,手機端的eMMC在往高速、大容量方向走,SSD在往小封裝、小尺寸方向發(fā)展,兩者正在慢慢在融合。市場(chǎng)上有廠(chǎng)商,包括江波龍都有推出BGA的SSD,就是芯片大小的SSD產(chǎn)品,這是一個(gè)比較典型的融合,未來(lái)可能會(huì )推PCI-E接口的 BGA SSD。“在新一代iPhone上,有采用NVME PCIe SSD存儲系統,其實(shí)PCIe存儲系統之前是用在電腦上的,目標就是追求高速、高容量和更大的存儲介質(zhì)。”王偉民認為,未來(lái),不管什么類(lèi)型的存儲介質(zhì),eMMC也好,SSD也罷,概念不會(huì )像原來(lái)那樣界定清晰,可能都會(huì )被采用,或者可能就是一個(gè)NVME接口標準的存儲設備。比如平板電腦,可能用SSD,也用eMMC,高端一點(diǎn)的產(chǎn)品用SSD,低端的用eMMC,只是針對的用戶(hù)群不一樣。
二是,手機端有推進(jìn)所謂的UFS的產(chǎn)品,速度已經(jīng)達到了固態(tài)硬盤(pán)的速度。目前一些旗艦機型有搭載,明年一些中端機型也會(huì )搭載UFS產(chǎn)品。
目前,在一些旗艦手機里面,已經(jīng)采用UFS產(chǎn)品,如三星 Galaxy S7,小米5,魅族MX6、樂(lè )Max 2、一加手機3等采用了UFS2.0閃存。UFS 2.0是新一代閃存存儲標準,是eMMC的下一代產(chǎn)品。眾所周知,在手機興起的這幾年中,手機的閃傳規格有了很大的提高,eMMC規格的標準從eMMC 4.3標準逐步發(fā)展到eMMC 5.1標準,再到今天的UFS 2.0閃傳標準,實(shí)際上都是在進(jìn)步和提升,UFS 2.0閃傳標準有著(zhù)比eMMC 5.1更快的讀取性能。
據了解,eMMC 4.4的讀取速度大約為104MB/s、eMMC 4.5則為200MB/s,性能在當時(shí)是十分優(yōu)秀的;三星2013年7月29日開(kāi)始量產(chǎn)的行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品,其讀取速度為400MB/s,但是因為使用的是8位并行界面,因此性能潛力已經(jīng)基本到達瓶頸,以eMMC 5.1規范來(lái)說(shuō),其理論帶寬為600MB/s左右,性能的大提升基本是不可能的了。而UFS 2.0閃存讀寫(xiě)速度可以高達每秒1400MB,不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢,而且它甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見(jiàn)絀。
王偉民透露,江波龍今年底明年初會(huì )推出UFS產(chǎn)品。“我們的UFS產(chǎn)品的樣品已做過(guò)展示,會(huì )在今年底明年初量產(chǎn)。而且,我們計劃把3D NAND Flash產(chǎn)品整合進(jìn)UFS產(chǎn)品推向市場(chǎng)。”
另外,在9月初江波龍正式推出了基于3D TLC NAND Flash的SSD。“明年,我們也會(huì )把3D TLC NAND Flash導入到eMMC和UFS這類(lèi)嵌入式產(chǎn)品里面。”王偉民稱(chēng),從DRAM內存的方向來(lái)看,PC已經(jīng)往DDR5方向走了,或者HBM(High Bandwidth Memory)這種寬頻的DRAM,不過(guò),目前的主力還是DDR4,DDR5還沒(méi)有大量產(chǎn)出。從手機市場(chǎng)來(lái)看,目前的主力還是DDR3,但旗艦機型已經(jīng)到DDR4了,明年中高端手機搭載DDR4的比例會(huì )越來(lái)越高。
三是,容量、速度是未來(lái)手機對存儲介質(zhì)比較關(guān)注的重要因素,因為差異化是手機追求的方向,這種差異化可能是屏的差異,如2K/4K屏,可能是攝像頭、大的存儲等方面的差異。王偉民稱(chēng),到今年下半年可能不少旗艦級手機機會(huì )支持256G的大容量。今年,32G、64G是主流容量,明年64G可能還是主流容量。明年3D NAND Flash產(chǎn)品會(huì )逐漸上市,其單顆芯片容量最低32G。不過(guò),低容量的Nandflsh還是會(huì )持續增長(cháng),對64G的需求也會(huì )繼續增加。
四是,對存儲的需求量增大,使得大家需求更多的存儲空間,手機可能回歸重新支持存儲卡擴展。“目前,很多智能手機都可以支持存儲卡的擴展,如三星的note7,紅米的note 4。”王偉民說(shuō),實(shí)際上,在智能手機發(fā)展初期,內存在2G、4G存儲的時(shí)候,存儲卡是一個(gè)很重要配置,但隨著(zhù)存儲容量的增大,最近一兩年手機存儲陸續以?xún)戎檬綖橹髁?,不額外提供存儲空間。但今年來(lái)看,又陸續有手機回歸到支持存儲卡擴展,而且其本身的內存容量達到了32G。