由于上游芯片廠(chǎng)持續將產(chǎn)能移轉生產(chǎn)3D NAND，導致2D架構NAND Flash產(chǎn)出量下滑。今年5月份以來(lái)，受益于蘋(píng)果新手機內存采購，NAND Flash價(jià)格持續走高。不過(guò)，8月以來(lái)因為價(jià)格漲高后開(kāi)始壓抑終端需求，NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。
今年NAND Flash工藝持續往10納米進(jìn)行微縮，但因物理極限問(wèn)題已出現發(fā)展瓶頸。NAND Flash廠(chǎng)開(kāi)始將投資主力放在3D NAND，因產(chǎn)能出現排擠，NAND Flash產(chǎn)出量明顯減少，而3D NAND產(chǎn)出又十分有限。在工藝及產(chǎn)品線(xiàn)世代交替的青黃不接情況下，正好遇到智能手機及固態(tài)硬盤(pán)（SSD）備貨旺季，NAND Flash因此出現缺貨問(wèn)題，5月以來(lái)價(jià)格持續走高。
據模組廠(chǎng)商指出，美國品牌64Gb MLC規格NAND Flash現貨價(jià)已漲到2.8～2.9美元，128Gb MLC規格NAND Flash現貨價(jià)亦漲到3.8美元以上，5月以來(lái)平均漲幅介于8～14%。不過(guò)，由于NAND Flash漲價(jià)，帶動(dòng)eMMC/eMCP、存儲器等終端價(jià)格大漲，8月以來(lái)價(jià)格漲高后已開(kāi)始壓抑終端需求，因此NAND Flash價(jià)格近期小幅走軟，業(yè)界認為，供不應求壓力已陸續獲得緩解。
在3D NAND的發(fā)展上，三星及東芝的進(jìn)度最快，已經(jīng)推出64層堆疊的3D NAND芯片，容量上看256～512Gb，而且在同樣產(chǎn)線(xiàn)上，位元出貨量可較NAND Flash成長(cháng)3成左右。雖然3D NAND有助于NAND芯片廠(chǎng)成本下降，但是在所有NAND廠(chǎng)全數投入情況下，業(yè)界對明年3D NAND看法保守，價(jià)格戰已難以避免，明年將是3D NAND殺戮戰場(chǎng)。
至今年底為止，各家存儲器廠(chǎng)的3D NAND生產(chǎn)線(xiàn)將陸續進(jìn)入量產(chǎn)，包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、東芝新建的Fab2、以及英特爾大連廠(chǎng)等。
業(yè)界認為，智能手機的搭載容量已上看256GB，固態(tài)硬盤(pán)主流容量也上看512GB，加上資料中心開(kāi)始采用NAND Flash儲存陣列，NAND Flash市場(chǎng)的確仍有很大的成長(cháng)空間，只是3D NAND明年產(chǎn)能大量開(kāi)出后，終端市場(chǎng)要大量去化如此龐大的新產(chǎn)能，并不是件太容易的事，所以明年NAND Flash價(jià)格下滑風(fēng)險已然大增。
