英特爾信誓旦旦說(shuō)到，摩爾定律已死。三星用實(shí)際行動(dòng)證明，摩爾定律對DRAM產(chǎn)業(yè)依然有效。
近年來(lái)，關(guān)于摩爾定律的死亡傳言被大大夸大。近日，三星電子發(fā)布業(yè)界第一款10納米8Gb DDR4 DRAM芯片顆粒。這家韓國廠(chǎng)商同時(shí)宣布，他們已經(jīng)先于SK海力士和美光實(shí)現10nm DDR4芯片的量產(chǎn)。
三星在新聞發(fā)布會(huì )上表示，新的DRAM支持3200Mbps數據傳輸頻率，相對20nm工藝的DDR4 DRAM顆粒效能提升約20%，同時(shí)，其功耗降低10%至20%，高效低耗的特性適用于新一代HPC（ 高效能運算 ） 、大型企業(yè)網(wǎng)絡(luò )以及主流電腦及服務(wù)器市場(chǎng)。
三星在去年發(fā)布了用于固態(tài)硬盤(pán)和其他存儲產(chǎn)品的10nm NAND閃存，但將DRAM縮小至如此的尺寸要更加困難。這是因為內存的不穩定性需要電容器伴隨著(zhù)晶體管存在，也就是所又有這些元件都需要進(jìn)行縮小。除此之外，三星還必須“在幾十納米寬的晶體管上堆疊極窄的圓柱形電容器以存儲大電荷，從而創(chuàng )造超過(guò)80億個(gè)單元”。如此一來(lái)，制作難度又被提高了好幾倍。
三星宣稱(chēng)，他們利用現有氟化氬浸沒(méi)式光刻技術(shù)而無(wú)需使用極紫外設備，就可以解決DRAM擴展的挑戰。
有分析師認為，三星改良了自己的四重圖形技術(shù)，用光刻曝光來(lái)增加芯片功能的分辨率，該技術(shù)被廣泛的應用于NAND閃存的制造上。并指出，摩爾定律的延續意味著(zhù)我們將繼續得到更便宜的DRAM。
三星將在今年生產(chǎn)SIMM模塊，容量從4GB的筆記本電腦到最高128GB企業(yè)級服務(wù)器不等，同時(shí)延長(cháng)其20納米DRAM陣容與新的DRAM產(chǎn)品組合貫穿全年。不久的將來(lái)，三星將推出10nm高密度超一流的移動(dòng)DRAM產(chǎn)品，以解決超高清智能手機市場(chǎng)。
移動(dòng)設備訪(fǎng)問(wèn)
