中芯國際進(jìn)軍PRAM存儲，蠶食三星40nm產(chǎn)能

電子設計模塊

 近日，中國內地規模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際（SMIC），與阻變式存儲器（RRAM）技術(shù)領(lǐng)導者Crossbar，共同宣布雙方就非易失性RRAM開(kāi)發(fā)與制造達成戰略合作協(xié)議。

作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶(hù)將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業(yè)及汽車(chē)電子市場(chǎng)需求。

中芯國際曾發(fā)展過(guò)130nm到65nm制程的NOR閃存，2014年自主研發(fā)的38nm制程取得突破，繼而轉向更加先進(jìn)的NAND閃存，將使用40nm工藝代工PRAM阻變式存儲器芯片，意味著(zhù)中芯國際已經(jīng)進(jìn)入了下一代內存產(chǎn)業(yè)。

RRAM元件能夠集成到標準的CMOS邏輯工藝當中，在標準CMOS晶圓的兩條金屬線(xiàn)之間。這將促成高度集成的非易失性存儲器解決方案的實(shí)現，將片上非易失性存儲器、處理器核、模擬及射頻集成在一個(gè)單獨的芯片上。

高度集成的MCU及SoC設計廠(chǎng)商需要非易失性存儲器技術(shù)，Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴展性使非易失性存儲器組件在更低工藝節點(diǎn)的MCU和SoC中集成成為可能。

中芯國際能夠幫助Crossbar攤薄芯片成本，縮短入市時(shí)間。

目前，中國半導體政策目前主攻存儲器產(chǎn)業(yè)，2015年以來(lái)也透過(guò)不斷并購相關(guān)供應鏈來(lái)加快成長(cháng)腳步，晶圓產(chǎn)能擴充積極。中國半導體政策持續帶給三星存儲器部門(mén)一定的競爭壓力，勢必分散三星在晶圓代工產(chǎn)業(yè)的專(zhuān)注度。

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