功率放大器 電子設計模塊
據臺灣《經(jīng)濟日報》報道稱(chēng)，高通（Qualcomm）功率放大器（PA）等射頻（RF）元件策略出現轉向，計劃由臺積電COMS工藝代工轉為砷化鎵工藝制造。此前，高通將驍龍820手機芯片全部訂單交由三星電子代工。
高通2014年推出自家的射頻元件方案“RF360”，是采用半導體CMOS工藝的PA，具低成本優(yōu)點(diǎn)，由臺積電以八寸廠(chǎng)制造，再搭配自家手機芯片出貨，與其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供應商采用砷化鎵（GaAs）工藝不同。
近日，高通剛剛宣布與日本零組件大廠(chǎng)TDK合資，擬在新加坡設立新公司“RF360 Holdings Singapore”，其中TDK旗下從事射頻模組業(yè)務(wù)的子公司EPCOS，會(huì )將部分業(yè)務(wù)分拆出來(lái)成立“RF360”。
高通執行長(cháng)莫倫科夫（Steve Mollenkopf）回應時(shí)表示，與TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”（即砷化鎵PA）將于2017年生產(chǎn)，這是一個(gè)比較合適的時(shí)間點(diǎn)，屆時(shí)會(huì )再尋找合適的應用市場(chǎng)。
從莫倫科夫說(shuō)法來(lái)看，高通旗下RF元件采用的PA工藝，將由現行CMOS轉向砷化鎵，在這個(gè)架構下，未來(lái)勢必還要調整代工廠(chǎng)，由目前的臺積電轉至穩懋、宏捷科這類(lèi)的砷化鎵代工廠(chǎng)。
由于高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA，市場(chǎng)預期，今年會(huì )開(kāi)始尋找合適代工廠(chǎng)，最快年底就會(huì )有樣品，明年就能上市。
在智能手機進(jìn)入4G時(shí)代，使用PA顆數至少七至八顆，比3G手機多出一到兩顆，加上這兩年4G手機數量呈跳躍式成長(cháng)，帶動(dòng)一波RF元件動(dòng)能。
相較高通推出自家PA等RF元件，競爭對手聯(lián)發(fā)科則是采合作方式，在手機公板上認證Skyworks、Avago、RFMD及陸廠(chǎng)Vanchip的元件，避免周邊零組件供應出現長(cháng)短腳現象。
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