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中國存儲產(chǎn)業(yè)布局初定,武漢新芯當領(lǐng)頭羊

關(guān)鍵字:中國存儲產(chǎn)業(yè)  武漢新芯  內存芯片制造  科學(xué)實(shí)驗模塊

根據調研機構 DRAMeXchange 的數據,2014年中國DRAM消化量已達47.89億顆(2Gb equiv),總計102億美元,占全球產(chǎn)能的19.2%。一方面,中國武岳峰資本與賽普拉斯就收購美國半導體公司ISSI斗智斗勇;另一方面,武漢新芯確定統籌中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展,將匯集三大技術(shù)(DRAM、3D NAND、NOR)成為中國重要內存芯片基地。

 

DRAM屬于資本密集產(chǎn)業(yè),光土地、廠(chǎng)房不含設備,就得耗資20~40億RMB,投產(chǎn)六萬(wàn)片即超過(guò)200億RMB,若要達到較具經(jīng)濟規模的10萬(wàn)片產(chǎn)能,就得另外花上400~800億RMB才有辦法做到,僅剩三家(三星、美光、SK海力士)獨大的DRAM市場(chǎng)。

 

 

《國際電子商情》
 

 

目前來(lái)看,大基金對啃下了存儲產(chǎn)業(yè)這塊硬骨頭的決心非常重,在資金、技術(shù)、人才、IP等方面完成初步布局。

 

1.與國際大廠(chǎng)談技術(shù)合作:武漢新芯2015年年初正式與Spansion合作,展開(kāi)3D NAND的技術(shù)開(kāi)發(fā)。英特爾強勢主導與DRAM廠(chǎng)的全力配合下,DDR4內存將在服務(wù)器領(lǐng)域率先切入。

 

2.收購美國半導體企業(yè):武岳峰資本收購美國半導體公司ISSI已到最后階段,塵埃將落定。對國內取得IP專(zhuān)利提升DRAM領(lǐng)域技術(shù)競爭力非常重要。

 

3.挖角臺灣存儲產(chǎn)業(yè)人才:中芯國際營(yíng)運長(cháng)趙海軍為臺灣DRAM廠(chǎng)商茂德技術(shù)發(fā)展暨產(chǎn)品本部兼大中華事業(yè)部副總裁。同樣被視為目標的還有臺灣瑞晶團隊與華亞科、南亞科人才。爾必達前社長(cháng)坂本幸雄,也在合肥現身力求東山再起。

 

4.整合國內產(chǎn)業(yè)和人才優(yōu)勢:北京已是中國IC重要應用市場(chǎng),還有北京、清華大學(xué)以及中科院微電子中心等知識人才優(yōu)勢;而上海則有已逐步建立起IC產(chǎn)業(yè)鏈的中芯國際;聯(lián)發(fā)科、Marvell、君正科技等在內的廠(chǎng)商,簽署了14項與25項落戶(hù)合肥的合作案;武漢新芯籌建第二座晶圓廠(chǎng),武漢成為中國內存芯片基地。

 

TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange指出,除了大基金外,中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會(huì )投資,遠期計劃要募集到240億美元的規模,長(cháng)期產(chǎn)能目標達每月30萬(wàn)片,正式展開(kāi)中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃。

 

從目前工廠(chǎng)規模來(lái)看,武漢新芯一廠(chǎng)投片已接近滿(mǎn)載水位,現有工廠(chǎng)初期產(chǎn)品以NOR為主。倘若再加上DRAM產(chǎn)能,勢必將再興建另一座12寸晶圓廠(chǎng)來(lái)滿(mǎn)足未來(lái)產(chǎn)能的需求。DRAMeXchange預估,未來(lái)武漢新芯將匯集DRAM、3D NAND與NOR技術(shù)成為中國半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)領(lǐng)頭羊,且將至少擁有二座12寸晶圓廠(chǎng)的中國內存芯片基地。

 

DRAM產(chǎn)業(yè)走過(guò)了景氣谷底,加上需求的持續保障,DRAM廠(chǎng)重新開(kāi)始考慮建廠(chǎng),從去年下半年開(kāi)始陸續啟動(dòng)擴建新廠(chǎng),各家產(chǎn)能競賽再起,并穩步升級工藝。今年以來(lái),中國政府積極扶持自有DRAM產(chǎn)業(yè),各項政策與收購動(dòng)作浮上臺面,攪局這一競爭格局相當穩定的市場(chǎng)。

 

 

《國際電子商情》
 

 

鹿死誰(shuí)手還未可知,但對整個(gè)DRAM 產(chǎn)業(yè)的影響顯而易見(jiàn)。國內基金資金充足、內需市場(chǎng)龐大、人才梯隊日益完善,資源裝備優(yōu)良大舉進(jìn)軍DRAM市場(chǎng),攻城拔寨的速度將在未來(lái)幾年內改變整個(gè)存儲產(chǎn)業(yè)的格局。

 

業(yè)內人士預計,從DRAM廠(chǎng)新建到試產(chǎn)需兩年以上的時(shí)間,估計中國將先切入技術(shù)較容易的 PC DRAM,至于近年成長(cháng)快速的 移動(dòng)DRAM 產(chǎn)能要追趕主流大廠(chǎng),預估還要5~10年的時(shí)間。

 

 

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