10納米工藝后發(fā)先至，三星同臺PK臺積電

三星最近宣布，2016年底將實(shí)現10納米芯片制造工藝的規?；瘧?，芯片處理能力將會(huì )更強，而體積更小，功耗更低！

三星10納米芯片工藝基本定型
 

據稱(chēng)，三星S6和S6 edge所搭載的的自家Exynos 7420處理器首次采用了三星14納米FinFET工藝技術(shù)。測試數據顯示，該處理器是目前安卓智能手機平臺速度最快的手機處理器。2016年，三星芯片生產(chǎn)將采用更為先進(jìn)的10納米FinFET工藝技術(shù)，芯片性能將會(huì )更為強悍！

三星10納米芯片工藝基本定型
 

在國際電子電路研討會(huì )大會(huì )（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。我們期望三星能早日將該技術(shù)應用于未來(lái)智能手機處理器的生產(chǎn)上，但是受惠的不僅僅是智能手機，可穿戴設備、網(wǎng)絡(luò )設備、數據中心硬件設備同樣將因該技術(shù)而取得巨大進(jìn)步。有傳言稱(chēng)，三星這項10納米FinFET工藝技術(shù)將于2016年底得以規?；瘧玫?，之后將會(huì )在蘋(píng)果2017年推出的手機和平板出現。

有傳聞稱(chēng)，跟三星爭奪蘋(píng)果訂單的臺積電（TSMC）最早將于下月開(kāi)始測試10納米FinFET工藝技術(shù)，規?；瘧玫臅r(shí)間則大概要到2016年。不過(guò)，三星在今年2月份就已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)14納米工藝的的芯片，而臺積電大概直到下個(gè)月才能實(shí)現16納米工藝的芯片的制造。