臺積電工藝線(xiàn)路圖：16納米防守，10納米反擊

晶圓代工大廠(chǎng)臺積電(TSMC)近日宣布將推出精簡(jiǎn)型、低功耗版本的16納米FinFET工藝，并公布其更先進(jìn)納米工藝技術(shù)藍圖；臺積電預定自今年中開(kāi)始量產(chǎn)最新的16納米FinFET Plus (16FF+)工藝，并在2016年展開(kāi) 10納米工藝生產(chǎn)。

 

在20納米芯片正式量產(chǎn)之后，臺積電宣布于2015年中開(kāi)始量產(chǎn) 16FF+ 工藝，該公司并表示采用此新工藝的芯片性能可提升10%，功耗能比20納米芯片低50%，周期時(shí)間(cycle time)則是20納米芯片的兩倍。臺積電共同執行長(cháng)劉德音(Mark Liu)并在于美國硅谷舉行的年度技術(shù)大會(huì )上表示，該公司新工藝到今年底將有超過(guò)50款芯片投片(tape-out)，包括應用處理器、繪圖處理器(GPU)以及汽車(chē)、網(wǎng)絡(luò )處理器。

 

“我們正處于一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期──今日我們不只要推動(dòng)各自公司的成長(cháng)，還要推動(dòng)對以往不存在之新公司的搜尋；”劉德音表示：“我們的消費性產(chǎn)品周期改變不多，改變的是產(chǎn)品設計與技術(shù)開(kāi)發(fā)的節奏，在相同的時(shí)間框架之下，有越來(lái)越多工作必須要完成。”

 

劉德音指出，臺積電已經(jīng)與ARM合作進(jìn)行Cortex-A72處理器核心的開(kāi)發(fā)，利用 16FF+ 工藝讓其性能達到Cortex-A15的3.5倍，而功耗則減少了75%；他并指出，臺積電與ARM將繼續在下一個(gè)工藝節點(diǎn)進(jìn)行合作。

 

臺積電也開(kāi)發(fā)了精簡(jiǎn)型(compact)版本的16納米FinFET工藝，命名為16FFC，鎖定中低端智能手機、消費性電子產(chǎn)品與穿戴式裝置使用；該工藝能將功耗降低超過(guò)50%，達到0.55伏特，預計在2016下半年開(kāi)始產(chǎn)品投片。

 

“在16FF與16FF+方面，已經(jīng)在成本上有一些明顯的挑戰，我們預期每閘成本也會(huì )升高；”市場(chǎng)研究機構International Business Strategies執行長(cháng)Handel Jones表示：“我認為他們已經(jīng)藉由16FFC工藝承認了這一點(diǎn)，16FFC將會(huì )獲得不少青睞，特別是因為他們能提供低功耗版本。”

 

長(cháng)時(shí)間以來(lái)臺積電與三星(Samsung)一直在16/14納米節點(diǎn)相互競爭──臺積電的16納米工藝與其他同業(yè)的14納米工藝性能相近，而三星則是在今年度的世界移動(dòng)通訊大會(huì )(MWC)期間宣布其Galaxy S6智能手機將采用14納米芯片。臺積電的主管不愿意對市場(chǎng)競爭多做評論，而最后誰(shuí)是贏(yíng)家，從芯片產(chǎn)量可見(jiàn)分曉。

 

“三星聲稱(chēng)他們已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)(14納米工藝)，但我們還沒(méi)看到任何實(shí)際產(chǎn)品；”International Business Strategies的Jones提到了Exynos芯片：“如果三星現端段確實(shí)開(kāi)始大量生產(chǎn)，他們就領(lǐng)先了臺積電。”