第三季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收排名，爾必達市占逆勢上揚

根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示，第三季的DRAM產(chǎn)值，與上季相較縮減8.5%，各DRAM廠(chǎng)的營(yíng)收普遍呈現衰退。從DRAM廠(chǎng)自有品牌內存營(yíng)收排名來(lái)觀(guān)察，三星與SK海力士?jì)纱箜n系廠(chǎng)的綜合市占為64.2%，；日系廠(chǎng)商爾必達市占仍居第三大(13.5%)，市占率呈現逆向增長(cháng)。美光半導體則以約1.1%的差距仍居第四。

TrendForce指出，由于PC出貨持續下修，年增長(cháng)率衰退達5%，需求旺季不旺導致供過(guò)于求態(tài)勢持續惡化，第三季2Gb單顆合約價(jià)從今年七月份的US$1.11至九月底的USS$0.86，大幅滑落22.5%。其它產(chǎn)品別如服務(wù)器內存與移動(dòng)式內存的銷(xiāo)售價(jià)格亦反應出跌價(jià)的趨勢。

從第三季需求端做觀(guān)察，移動(dòng)式產(chǎn)品包括智能手機以及平板電腦出貨暢旺，移動(dòng)式內存占DRAM總產(chǎn)出比例大幅增加，由第二季的低于20%一舉提高至25%，移動(dòng)式內存占總產(chǎn)出較高的廠(chǎng)商相對市占呈現正向的變化，其中以韓系廠(chǎng)商三星半導體以及日系廠(chǎng)商爾必達為最，在不景氣的市況中創(chuàng )造最高獲利。

三星、海力士：移動(dòng)式內存助力大

三星半導體市占率于今年第三季超過(guò)四成，與上季相較僅小幅提升，但在DRAM部分的營(yíng)業(yè)利益率仍占17%，表現突出，是唯一獲利的DRAM廠(chǎng)。與先前的策略一致，除了制程轉進(jìn)以樽節成本之外，三星在移動(dòng)式內存的市占最高，挾帶其完整的產(chǎn)品系列，在第三季手持裝置出貨加溫的帶動(dòng)之下，其營(yíng)業(yè)利益率至少超過(guò)30%，為產(chǎn)業(yè)中最高。

SK海力士方面，受到DRAM價(jià)格下跌的影響，DRAM部分的營(yíng)業(yè)利益率由正轉虧(-5%)，但在市占以及獲利率的表現皆處于產(chǎn)業(yè)排名第二，表現優(yōu)異。值得注意的是SK海力士在移動(dòng)式內存貢獻總營(yíng)收的比例首度超過(guò)三成，尤其是受到Apple系列相關(guān)產(chǎn)品的需求帶動(dòng)，產(chǎn)品比例獲得進(jìn)一步改善，非標準型DRAM已占總產(chǎn)出的大宗。

與三星半導體相同，兩家韓系廠(chǎng)商對于今年第四季的需求預估相對保守，各產(chǎn)品線(xiàn)的平均銷(xiāo)售單價(jià)恐怕仍呈現跌幅，進(jìn)一步壓縮獲利空間。自今年九月起，其它非韓系廠(chǎng)商已經(jīng)陸續啟動(dòng)減產(chǎn)計劃，產(chǎn)業(yè)的庫存水位逐步降低；若需要回到供需平衡點(diǎn)，可能得倚賴(lài)韓系廠(chǎng)商加入減產(chǎn)，才能使DRAM價(jià)格逐步從谷底攀升。

爾必達與美光：整合帶來(lái)新契機

日商爾必達雖然財務(wù)狀況不佳，但在今年第三季營(yíng)收市占仍處第三名之位，與上季相較市占微幅上升。產(chǎn)品組合方面，由于受到標準型內存減產(chǎn)的影響，相對移動(dòng)式內存占總營(yíng)收的比例大幅攀高，縮小虧損幅度。目前爾必達仍在積極轉進(jìn)25納米，目前處于產(chǎn)品驗證階段，預計于2013年初正式量產(chǎn)。與美光整并案正在進(jìn)行當中，業(yè)界預期在整并過(guò)后，爾必達的移動(dòng)式內存技術(shù)能夠與美光的閃存相互結合，發(fā)展出更完整的產(chǎn)品組合。

美光部分市占率與上季相同，都約在12%，由于其子公司華亞科的代工業(yè)務(wù)倚賴(lài)美光出貨部分較高，對于標準型內存的曝險部位亦逐步攀升，營(yíng)業(yè)利益率由上季的-10%降到-15%。但由于其現金水位仍然穩健，短期之內并沒(méi)有減產(chǎn)計劃。移動(dòng)式內存方面，由于產(chǎn)品組合仍以小容量的MCP為主，單價(jià)較低，對營(yíng)收貢獻為國際廠(chǎng)最低。展望未來(lái)產(chǎn)業(yè)趨勢，美光會(huì )持續將產(chǎn)品重心放在服務(wù)器與網(wǎng)通(Networking)產(chǎn)品類(lèi)別，同時(shí)提升移動(dòng)式內存出貨的比重，藉以維持較穩健的平均銷(xiāo)售單價(jià)，避免后續虧損擴大。

臺系DRAM廠(chǎng)商紛紛啟動(dòng)減產(chǎn)機制

臺系廠(chǎng)商方面，綜合市占與上季相較衰退1.2%，其中原因以標準型內存價(jià)格跌幅達二成以上為最。南科由于第三季標準型內存產(chǎn)出量比重達70%，營(yíng)收衰退達35.6%，力晶則是標準型內存產(chǎn)出量增加讓營(yíng)收不至于衰退，僅下滑約0.6%，其余如華邦僅有利基性?xún)却驿N(xiāo)售，營(yíng)收相對持穩，小幅衰退3.8%，茂德則是正式退出DRAM產(chǎn)業(yè)下極力將庫存出清，營(yíng)收反倒增長(cháng)3.9%。

其中力晶整體營(yíng)收季增長(cháng)有4.3%，主要是來(lái)自于于代工業(yè)務(wù)穩定增長(cháng)，對于力晶財務(wù)狀況有穩定的作用，但隨著(zhù)標準型內存價(jià)格不斷下滑，九月份力晶已啟動(dòng)減產(chǎn)機制，大幅縮減標準型內存的投片，將會(huì )對未來(lái)第四季營(yíng)收產(chǎn)生不小的影響。瑞晶第三季營(yíng)收方面也下滑約8.7%，主因在于母公司爾必達因財務(wù)狀況無(wú)力購買(mǎi)全數的內存顆粒，瑞晶于八月開(kāi)始縮小投片量，亦讓營(yíng)收呈現衰退的走勢。

南科在第三季營(yíng)收方面衰退幅度達35%，除了因內存價(jià)格滑落下，日前南科宣布將轉型為生產(chǎn)利基型內存的公司，并在明年逐步退出標準型內存市場(chǎng)，此舉讓PC-OEM廠(chǎng)商購買(mǎi)意愿降低也是主要原因，南科亦在十月宣布減產(chǎn)約20%，避免現金持續流出，讓資金可以更有效的利用至轉型成利基型內存公司。華亞科方面，第三季營(yíng)收較上季衰退9.1%，主因也是受到DRAM市場(chǎng)所影響，但由于產(chǎn)品比例正在積極調整當中，提升服務(wù)器用內存及移動(dòng)式內存的產(chǎn)出，營(yíng)收下滑幅度不致于像南科劇烈，但隨著(zhù)南科在華亞科的投片量減產(chǎn)，將會(huì )對第四季營(yíng)收造成一定程度的沖擊。

從市場(chǎng)面來(lái)觀(guān)察，全球DRAM產(chǎn)能從今年高點(diǎn)的1130K減少至十月的1050k，減產(chǎn)幅度約為原先總產(chǎn)能的7.1%，共計80K左右，加上各DRAM廠(chǎng)已有減少資本支出、制程轉進(jìn)趨緩及提升代工業(yè)務(wù)比例的共識，冀望于2013年首季過(guò)后，DRAM供需狀態(tài)逐步回到健康水位，有助于市場(chǎng)回歸基本面。