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2010年一季度半導體產(chǎn)業(yè)重大事件分析

關(guān)鍵字: 英飛凌3G芯片  雷凌并購誠致  浪潮集團收購奇夢(mèng)達 

根據國際半導體貿易統計組織(WSTS)的數據,2010年Q1全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售值達692億美元,較上季(09Q4)成長(cháng)2.8%,較去年同期(09Q1)成長(cháng)58.3%;銷(xiāo)售量達1,614億顆,較上季(09Q4)成長(cháng)4.2%,較去年同期(09Q1)成長(cháng)66.7%。

 

根據國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)公布最新3月的訂單出貨報告,訂單出貨比(B/B Ratio)為1.19,較2月份的1.23顯著(zhù)成長(cháng),目前已連續9個(gè)月處于1以上的水準,顯示半導體產(chǎn)業(yè)景氣持續維持在復蘇之水準,半導體產(chǎn)業(yè)的投資腳步也隨之逐步放大。

 

以下是2010年第一季半導體產(chǎn)業(yè)部分重大事件分析:

 

雷凌并購誠致

 

臺灣地區IC設計公司雷凌與誠致宣布將于2010年10月1日合并,雷凌為存續公司。雷凌為目前臺灣第一大WLAN芯片供貨商,而誠致為臺灣第一大xDSL寬頻IC設計業(yè)者。合并后可達成整合無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )及寬頻網(wǎng)絡(luò )技術(shù),擴大經(jīng)營(yíng)規模。

 

雷凌與誠致合并后,新雷凌將結合雙方無(wú)線(xiàn)及有線(xiàn)傳輸芯片優(yōu)勢。不僅技術(shù)產(chǎn)品互補,行銷(xiāo)資源也擁有互補效益,可共同擴展WiFi及xDSL的市占率。以2009年二家營(yíng)收來(lái)看,將可躋身全球前30大IC設計公司,未來(lái)將更可挑戰瑞昱龍頭地位。

 

宏力與華虹NEC共建12寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)

 

上海宏力半導體與華虹NEC宣布合作成立華立微電子,共同建設12寸半導體生產(chǎn)線(xiàn),將采用45nm及其以下先進(jìn)制程技術(shù),是中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)重大尖端科技項目-909項目的升級工程。此項目投資總額預算約145億元人民幣,其中華立微電子注冊資本約66億元人民幣,由華虹NEC和宏力一起出資21億元人民幣,加上上海地方政 府投資的45億元人民幣。

 

此目標是建成“第一條國資控股、主要面向中國國內市場(chǎng)、90nm到65nm再到45nm的制程技術(shù)等級、月產(chǎn)3.5萬(wàn)片的12寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)”,目前基本規劃是2010年底月產(chǎn)能將達1萬(wàn)片,2011年2萬(wàn)片,2012年3.5萬(wàn)片,主要將以邏輯芯片、閃存產(chǎn)品為主。

 

以往中芯國際為中國大陸唯一具有12寸晶圓廠(chǎng)的晶圓代工公司,宏力與華虹NEC合資建立12寸晶圓廠(chǎng),一方面代表官方整合產(chǎn)業(yè),以求做大做強的企圖,二來(lái)也是為營(yíng)造在高端制程市場(chǎng)的良性競爭,并強化中國大陸在半導體制造業(yè)的長(cháng)期競爭力。

Infineon宣布采用臺積電40納米制程技術(shù)生產(chǎn)3G基頻芯片

德國IDM大廠(chǎng)英飛凌(Infineon)宣布,推出3G智能型手機架構專(zhuān)用的輕薄型調制解調器平臺XMM6260,該平臺具備X-GOLD 626基頻芯片及SMARTi UE2射頻收發(fā)器,其中基頻芯片將交由臺積電以40納米生產(chǎn)。

 

臺積電在45/40納米及28納米等先進(jìn)制程領(lǐng)先同業(yè),因此幾乎囊括了全球各主要IDM廠(chǎng)的先進(jìn)制程委外代工訂單,而在可編程邏輯組件大廠(chǎng)Xilinx決定在28納米與臺積電合作后,全球前10大IC設計公司亦全數成為臺積電客戶(hù)。

 

以往IDM大廠(chǎng)都將先進(jìn)產(chǎn)品由自家晶圓廠(chǎng)生產(chǎn),以確保技術(shù)、品質(zhì)、交期。但在無(wú)線(xiàn)通訊芯片的設計公司諸如高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)的強大競爭力下,以及資源有限無(wú)法兼顧IC設計及制造兩端的情況下,愈來(lái)愈多的IDM將會(huì )釋出高端制程代工訂單給專(zhuān)業(yè)晶圓代工公司

日本東芝與南通富士通合資成立“無(wú)錫通芝公司”

 

日本東芝子公司東芝半導體(無(wú)錫)和南通富士通已達成協(xié)議,將于2010年4月成立合資“無(wú)錫通芝公司”。新公司初期東芝半導體(無(wú)錫)出資80%、南通富士通出資20%,但數年后會(huì )調整出資比率,南通富士通將持過(guò)半股份。

 

目前日本東芝為了整并正不斷提高SoC后段制程的海外生產(chǎn)比率,南通富士通將成為東芝在中國封測外包事業(yè)的重要合作伙伴,未來(lái)將可獲得東芝及其子公司等日系高階封測訂單。東芝為了有效降低成本,將擴大封測委外代工,預計2010年底委外比重將提升至80%。

 

由此跡象顯示,未來(lái)日本東芝將逐漸淡出封測的生產(chǎn)。南通富士通將承接世界一流企業(yè)封裝產(chǎn)能轉移,有利于向高端封裝技術(shù)邁進(jìn),特別是QFN、BGA等先進(jìn)技術(shù)。對于南通富士通而言,無(wú)論在擴大企業(yè)規模、拓展市場(chǎng)空間,還是提升技術(shù)層次,都具有十分重要的意義。

 

未來(lái)南通富士通將可能把觸角延伸到世界封裝技術(shù)的前沿,也將帶動(dòng)中國本土封測業(yè)的技術(shù)提升。日本IDM大廠(chǎng)正不斷提高委外生產(chǎn)比率并推進(jìn)無(wú)廠(chǎng)化,先進(jìn)代工產(chǎn)能有轉移中國跡象,未來(lái)勢必與中國IC產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生緊密聯(lián)結。

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