東芝半導體事業(yè)以NAND Flash等存儲器為主要營(yíng)收來(lái)源,2012年第2季受制于全球NAND Flash價(jià)格仍持續下跌,東芝存儲器營(yíng)收較第1季大幅減少39%,僅953億日圓,且該季NAND Flash獲利率滑落至-1%,致第2季東芝半導體事業(yè)營(yíng)運表現欠佳。
日本另一IDM瑞薩電子(Renesas Electronics),現居日本第2大半導體廠(chǎng)地位,2012年第2季營(yíng)收較第1季衰退9%,僅1,682億日圓,同樣為2010年以來(lái)單季最低水平,不僅如此,該季瑞薩電子營(yíng)業(yè)虧損達176億日圓,已連續5季虧損。
東芝與瑞薩電子在同樣面臨營(yíng)運困境情況下,均已著(zhù)手重整事業(yè),其方法皆以調整產(chǎn)品結構、重組生產(chǎn)結構,及擴大委外代工為主要策略。
調整產(chǎn)品結構方面,東芝計劃使NAND Flash等存儲器結合HDD等儲存裝置;瑞薩電子則運用其于全球微控制器(MCU)高市占率,持續擴充MCU與模擬/功率組件(Analog & Power;A&P)成套解決方案,以提升A&P占有率。
重組生產(chǎn)結構方面,東芝因將半導體經(jīng)營(yíng)資源集中于存儲器,已著(zhù)手縮減離散組件生產(chǎn)據點(diǎn),預定2012年9月完成;瑞薩電子自2011年以來(lái)已出售與關(guān)閉多座工廠(chǎng),至2015年為止,仍將持續以出售與關(guān)廠(chǎng)方式,縮減日本生產(chǎn)據點(diǎn)。
擴大委外代工方面,東芝除持續提高先進(jìn)制程SoC委外代工比重外,亦于亞洲擴大系統LSI與離散組件后段制程委外代工比重;瑞薩電子則計劃完成生產(chǎn)結構重組后,將其前段與后段制程委外代工比重分別擴大至3成以上。
東芝于系統LSI與離散組件事業(yè)擴大后段制程委外代工動(dòng)向
來(lái)源:東芝,DIGITIMES整理,2012/8